具有高耦合率永久性存储器及其制造方法

摘要

一种高耦合率永久性存储器及其制造方法，其在场氧化层与隧穿氧化层的半导体基底上依序形成第一多晶硅层与第一介电层。第一多晶硅层的硅作为浮置栅，第二多晶硅层于该第一介电层上，并回蚀以在该第一介电层与该浮置栅侧壁有间隙壁。后去除第一介电层并形成具氧化硅/氮化硅/氧化硅的第二介电层于浮置栅与间隙壁周围，再制出第三多晶硅层于第二介电层上限定控置栅后注入离子形成源/漏极区。

主权项

1.一种具有高耦合率的永久性存储器，形成于已设有至少一场氧化层的半导体基底上，其特征在于，它包括：一隧穿氧化层，形成于所述半导体基底上；一浮置栅，形成于所述隧穿氧化层上；一多晶硅间隙壁，形成于所述浮置栅侧壁；一介电层，覆盖于所述浮置栅与所述多晶硅间隙壁上；一控制栅，形成于所述介电层上；多个源/漏极区，形成于所述半导体基底中。