发明名称 | 半导体处理电极用气体喷出板 | ||
摘要 | 1.仰视图、左视图分别与俯视图、右视图对称,省略仰视图、左视图。2.本外观设计产品主要用于半导体晶片的蚀刻装置,材质为石英等。如使用状态剖视参考图所示,若安装在处理装置中并连接上高频电源,则在作为上部电极的该物品和下部电极之间形成等离子体。另外,在主视图和后视图中,从反应气体供给管供给的反应气体穿过设置于部的小孔而流到真空容器内。主视图和后视图中的部的点均是贯通孔。 | ||
申请公布号 | CN3350022D | 申请公布日期 | 2004.01.28 |
申请号 | CN03342337.7 | 申请日期 | 2003.05.20 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 土场重树 |
分类号 | 15-99 | 主分类号 | 15-99 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | |||
地址 | 日本国东京都 |