高温电路结构

摘要

一种高温混合电路结构，其中包括一通过电极(4a，4b)与一导电安装层(8)连接的温度感测器件(2)，该温度敏感器件包含SiC、AlN和/或Al_xGa_1－xN(x＞0.69)，所述导电安装层(8)与一AlN模片(6)相结合。所述模片、温度感测器件以及安装层(它可以是W、WC或W₂C)的温度膨胀系数彼此都在1.06内。安装层可完全由W、WC或W₂C黏合层或一带有一金属化叠层(14)的黏合层(12)构成，所述金属化叠层的热膨胀系数不大于所述黏合层的约3.5倍。可使用反应的硼硅酸盐混合物(18)，用或不用有助于保持住导线(16)并增加结构完整性的上模片(22)来封装该器件。本发明可用于温度感测器、压力感测器、化学感测器以及高温和高功率电子线路。

主权项

1.一种高温电路结构，其特征在于，该高温电路结构包括：一陶瓷模片(6)，一在所述模片上的导电安装层(8)，以及一在所述安装层上的电路器件(2)，该电路器件包含SiC、AlN和/或AlxGa1-xN(x＞0.69)，所述安装层使所述器件黏附在所述模片上并且其温度膨胀系数(TCE)在所述模片和器件的1.00±.06之内。