发明名称 |
多晶硅化钨栅极的制造方法 |
摘要 |
一种多晶硅化钨栅极的制造方法,适用于一基底上,其步骤如下:首先于基底上形成一栅氧化层,再将基底移入可用来作多晶硅沉积的一设备中,然后进行第一多晶硅沉积工序与第二多晶硅沉积工序,以先后于栅氧化层上沉积第一多晶硅层与第二多晶硅层。接着于第二多晶硅层上形成一硅化钨层,再依次图形化硅化钨层、第二多晶硅层与第一多晶硅层,以形成一多晶硅化钨栅极。 |
申请公布号 |
CN1136606C |
申请公布日期 |
2004.01.28 |
申请号 |
CN00128798.2 |
申请日期 |
2000.09.22 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
吕昭宏;林崇伟 |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/283;H01L21/3205 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种多晶硅化钨栅极的制造方法,适用于一基底上,包括下列步骤:于该基底上形成一栅氧化层;将该基底移入可用来沉积多晶硅的一设备中;进行一第一多晶硅沉积工序,以于该栅氧化层之上形成一第一多晶硅层,该第一多晶硅层的厚度为3;停止该第一多晶硅沉积工序;进行一第二多晶硅沉积工序,以于该第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层,该第二多晶硅层的厚度大于该第一多晶硅层的厚度;停止该第二多晶硅沉积工序,并将该基底移出该设备;于该第二多晶硅层上形成一硅化钨层;以及依次图形化该硅化钨层、该第二多晶硅层与该第一多晶硅层,以形成一多晶硅化钨栅极。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |