半导体结构及形成具有缩小间距的晶体管的方法

摘要

本发明提供一种形成具有缩小间距的晶体管的方法，其利用现有的微影工艺即可以使所形成的器件间距缩小至公知器件的一半。因为器件间距的缩小，器件集成度便可以提高，以使集成电路更小且更快。在一较佳实施例中，在一基底上形成导电层、终止层以及多晶硅层，且在多晶硅层上形成光阻层，并在光阻层表面上形成第一高分子材料层。接着利用第一高分子材料层作为蚀刻罩幕定义多晶硅层、终止层以及导电层。之后在基底上形成氧化层，并且回蚀刻氧化层直到多晶硅层暴露出来。随后移除多晶硅层，并且在氧化层的表面上形成第二高分子材料层。然后利用第二高分子材料层作为蚀刻罩幕定义导电层，再将第二高分子材料层移除。

主权项

1.一种形成具有缩小间距的晶体管的方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底上已形成有一第一导电层、一终止层以及一第二导电层；在该第二导电层上形成一图案化的光阻层；在该光阻层的表面上形成一第一介电层；利用该第一介电层为一蚀刻罩幕定义该第一导电层、该终止层以及该第二导电层；移除该光阻层以及该第一介电层；在该基底上方形成一绝缘层；移除该绝缘层至该第二导电层的上表面，以使该第二导电层暴露出来；移除该第二导电层；在该绝缘层的表面上形成一第二介电层；利用该第二介电层作为一蚀刻罩幕定义该终止层以及该第一导电层；以及移除该第二介电层。