半导体集成电路装置的制造方法

摘要

提供一种在一次PR中完成为形成三沟道的埋入扩散层离子注入和为在一个芯片内形成两种不同膜厚的栅极氧化膜的氧化膜蚀刻的制造方法，可以降低成本，并使电路高速化。在形成栅极的区域在硅氧化膜上在给定宽度内形成抗蚀剂掩模，隔着上述抗蚀剂掩模以给定的注入能量进行离子注入，形成埋入N型层，在给定范围内的抗蚀剂掩模的正下方也形成埋入N型层。抗蚀剂掩模作为掩模，蚀刻除去氧化膜，并在其上形成栅极氧化膜。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征是在第一导电型基板中形成第二导电型埋入层的区域中的要加厚有源元件的栅极氧化膜的膜厚的形成栅极的区域上，在给定宽度内形成抗蚀剂掩模，所述抗蚀剂掩模的给定宽度设定为在隔着抗蚀剂掩模以给定的注入能量进行离子注入来形成所述埋入型层时，能在所述给定宽度内的抗蚀剂掩模的正下方也不会中断形成所述埋入层的宽度。