半导体器件及其制造方法

摘要

在电极上形成Si₃N₄膜和侧壁，以得到能够增大DRAM的存储单元触点的面积的Cs电容器，如果通过选择性腐蚀工艺穿过层间膜可形成孔。留下Si₃N₄膜和侧壁未腐蚀，暴露衬底的孔的面积小于孔的上部的面积。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅电极，形成在所述半导体衬底上并在第一方向内延伸；第一保护层，沿所述栅电极的侧壁并在所述栅电极上形成，显示绝缘特性；层间绝缘层，形成在包括所述第一保护层的所述半导体衬底上，具有延伸到所述第一保护层和所述半导体衬底的开口部分，从而露出所述第一保护层的部分表面，所述层间绝缘层在腐蚀工艺中显示出对所述第一保护层的选择性；和所述开口部分内形成的电容器。