WÄRMESENKE AUS DIAMANT-HALTIGEM VERBUNDWERKSTOFF MIT MEHRLAGIGEM ÜBERZUG

摘要

Das als Wärmesenke für Halbleiterkomponenten dienende Bauteil besteht aus einem Diamant-Siliziumkarbid-Substrat mit einem mehrschichtigen Überzug auf zumindest einer Substrat-Oberfläche und aus einem darauf aufgelöteten Gehäuserahmen aus AIN. Das Bauteil erfüllt die an ihn gestellten Anforderungen in hohem Maße, das sind gute flächige Fügbarkeit der Halbleiterkomponente, hoher Wärmeübergang durch die Fügezone und gute elektrische Leitfähigkeit des Bauteils in der Fügezone.