发明名称 Verfahren zur Kristallherstellung und Gerät zur Kristallherstellung
摘要 Ein Gerät und Verfahren zum Herstellen eines Kristalls mit Flächenorientierungssteuerung unter Verwendung eines Impfkristalls, das sicher durchgeführt wird, und welches in vorteilhafter Weise ein Hochqualitätskristall mit einem großen Durchmesser schnell herstellen kann. Ein Kristallwachstumstiegel, der in der vertikalen Richtung beweglich ist, wird verwendet. Während die Temperatur erhöht wird, wird der Tiegel an einer Position gehalten, wo das ganze Rohmaterial, das heißt eine kristalline Substanz, die in dem Tiegel platziert ist, nicht geschmolzen wird. Nachdem sich die Temperatur stabilisiert, bewegt sich der Tiegel in einer ersten Richtung, wo die Temperatur höher wird, so dass das ganze Rohmaterial und ein Teil des Impfkristalls schmilzt. Dann bewegt sich der Tiegel in einer zweiten Richtung, wo die Temperatur niedriger wird, wodurch der Impfkristall und das geschmolzene Rohmaterial ausreichend miteinander in Kontakt treten.
申请公布号 DE10323885(A1) 申请公布日期 2004.01.22
申请号 DE2003123885 申请日期 2003.05.26
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 ASAMI, MASAYOSHI
分类号 G02B13/14;C30B11/00;C30B29/12;G02B1/02;G02B13/24;H01L21/027 主分类号 G02B13/14
代理机构 代理人
主权项
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