METHOD FOR STRUCTURING METAL BY MEANS OF A CARBON MASK

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallstrukturierung, bei dem auf einem Si-Substrat (1) mittels Abscheide-Verfahren wenigstens eine Metallschicht (2) Z.B.aus Aluminium abgeschieden wird, auf der nachfolgend eine Ätzmaske erzeugt wird und anschliessend mittels Ätzen, vorzugsweise durch Plasmaätzen, die Metallschicht strukturiert wird. Durch die Erfindung soll ein vereinfachtes Verfahren zur Metallstrukturierung geschaffen werden, mit dem mit einfachen Mitteln während der Ätzprozesses eine ausreichende Passivierung der geätzten Metallstrukturen sichergestellt wird. Erfindungsgemäss wird dazu auf der bereits abgeschiedenen und zu strukturierenden Metallschicht (2) zunächst eine Hard- Mask-Schicht in Form einer Kohlenstoffschicht (3) und auf dieser Resist (5) abgeschieden und nach der Strukturierung des Resists die Kohlenstoffschicht durch Strippen zu einer Kohlenstoffmaske strukturiert. Danach wird mit der die Strukturen definierenden Kohlenstoffmaske die Metallätzung der Metallschicht bei gleischzeitiger Seitenwandpassivierung ausgeführt und anschliessend die Masken gestrippt.