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Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements beinhaltet die Schritte: Bilden eines Grabens (10) in einer vorbestimmten Schicht (2) eines Halbleitersubstrats (32); Erwärmen des Substrats (32) mit dem Graben (10) in einer nicht oxidierenden und einer nicht nitridierenden Atmosphäre, die eine Dotierungssubstanz oder eine Zusammensetzung enthält, welche die Dotierungssubstanz aufweist, um die Oberflächen zu glätten, welche den Graben (10) definieren, und um die Dotierungskonzentration in der vorbestimmten Schicht (2) auf einer vorbestimmten Konzentration aufrechtzuerhalten, bevor das Erwärmen durchgeführt wird; und Bilden eines epitaxial aufgewachsenen bzw. aufwachsenden Films (33), um den Graben (10) zu füllen. Der Leitfähigkeitstyp, der in der nicht oxidierenden und nicht nitridierenden Atmosphäre enthaltenen Dotierungssubstanz, ist derselbe wie derjenige der Dotierungssubstanz, die anfänglich in der vorbestimmten Schicht (2) enthalten ist.
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