| 发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19644504(B4) |
申请公布日期 |
2004.01.22 |
| 申请号 |
DE19961044504 |
申请日期 |
1996.10.25 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
AONO, SHINJI |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/739;H01L21/331 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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