发明名称 半导体单结晶拉晶装置及其单结晶取出方法
摘要 本发明课题在于,即使种晶部等产生破损,结晶亦不致于倾倒,而能安定地自室内取出。使收纳真空室(6)内所成长出之单结晶(8)之炉室(5)、及此炉室(5)上之单结晶拉晶机构(15)旋转于拉晶位置(A)与取出位置(8)间之半导体单结晶拉晶装置,其中,炉室(5),系于下部侧面形成设有门(19)之开口部(56),于单结晶取出时,可下降至较其与真空室(6)之连接高度位置(P1)为低之位置(P3);复设有:用来承受、支持单结晶之锥面之支承治具(35);支持机构(30),藉由在装载支承夹具(35)状态下、可自开口部(5b)至炉室(5)内移动自如之支持构件(31),并透过支承治具(35)支持单结晶(8);以及结晶搬出装置(20),其于取出位置(8)设有可昇降自如之支承台(23),以自炉室(5)之支持机构(30)下方将支持着单结晶(8)之支承治具(35)予以装载。
申请公布号 TW573085 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW091103401 申请日期 2002.02.26
申请人 小松工机股份有限公司 发明人 山岸良
分类号 C30B15/24 主分类号 C30B15/24
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种半导体单结晶拉晶装置,系具备:炉室(5),用来收纳于真空室(6)内成长、拉晶而成之单结晶(8);拉晶机构(15),其配设于炉室(5)上,用来卷扬悬吊着单结晶之吊索(17);以及旋转机构(3),使炉室(5)及拉晶机构(15)旋转于结晶拉晶位置(A)与结晶取出位置(B)之间;其特征在于:该炉室(5),系于下部侧面形成开口部(5b),该开口部(5b)设有关闭自如的门(19),且于单结晶取出时,可下降至较其与真空室(6)之连接位置(P1)为低之交接位置(P3);复具备:支承治具(35),其于单结晶(8)取出时,承受并支持单结晶(8)下端部之锥面;支持机构(30),安装于炉室(5)之侧面,系具有支持构件(31),于装载支承治具(35)状态下,可自开口部(5b)至炉室(5)内移动自如;于单结晶取出时,藉支持构件(31)将支承治具(35)搬入炉室(5)内,并透过支承治具(35)支持单结晶(18);以及结晶搬出装置(20),其于结晶取出位置(B)设置在炉室(5)下方,系设有昇降自如的支承台(23),用来自支持机构(30)下方将支持着单结晶(8)之支承治具(5)举起并予以装载,以在装载于支承治具(5)之状态下收纳单结晶(8)。2.如申请专利范围第1项之半导体单结晶拉晶装置,其中该支承治具(35)具有匹配单结晶(8)之锥面形状之倒圆锥形孔。3.如申请专利范围第1或2项之半导体单结晶拉晶装置,其中该支承治具(35),于一侧面部系具有自外周面通到中央部之缺口部(35e)。4.如申请专利范围第1或2项之半导体单结晶拉晶装置,其中该支持机构(30),系将支持构件(31)作成叉状,于支持构件(31)上部设置将支承治具(35)固定成不会沿水平方向移动之固定机构(31b),并设置使装载于支持构件(31)上之支承治具(35)于炉室(5)内移动自如之移动机构(36)。5.如申请专利范围第3项之半导体单结晶拉晶装置,其中该支持机构(30),系将支持构件(31)作成叉状,于支持构件(31)上部设置将支承治具(35)固定成不会沿水平方向移动之固定机构(31b),并设置使装载于支持构件(31)上之支承治具(35)于炉室(5)内移动自如之移动机构(36)。6.一种单结晶取出方法,系在吊索(17)悬吊单结晶(8)状态下,将收纳着拉晶而成之单结晶(8)之炉室(6)自结晶拉晶位置(A)旋转至结晶取出位置(B),而自炉室(5)内部取出单结晶(8)之半导体单结拉晶装置之单结晶取出方法,其特征在于具有:第1步骤,其在单结晶(8)之拉晶结束后,将支承治具(具有匹配单结晶(8)之锥形之孔)(35)搬入炉室(5)内,将单结晶(8)装载于支承治具(35)而支持单结晶(8);以及第2步骤,之后,在结晶取出位置(B),将单结晶(8)以装载于支承治具(35)之状态下自炉室(5)内部取出。7.如申请专利范围第6项之单结晶取出方法,系于第1步骤之后,具有将炉室(5)和装载于支承治具(35)之单结晶(8)一起旋转至结晶取出位置(B)之步骤。8.如申请专利范围第6或7项之单结晶取出方法,其中第2步骤,系于结晶取出位置(B),在装载单结晶(8)于支承治具(35)状态下,将炉室(5)和支承治具(35)一起下降至既定位置后,自炉室(5)内将单结晶(35)和支承治具(35)一起取出之步骤。9.一种单结晶取出方法,系在以吊索(17)悬吊单结晶(8)之状态下,将收纳着拉晶而成之单结晶(8)之炉室(5)自结晶拉晶位置(A)旋转至结晶取出位置(B),而自炉室(5)内部取出单结晶(8)之半导体单结晶拉晶装置之单结晶取出方法,其特征在于具有:于单结晶(8)之拉晶结束后,在炉室(5)内,将单结晶(8)装载于可承受、支持单结晶(18)之锥面之支承治具(35)之步骤;接着,将炉室(5)和装载于支承治具(35)之单结晶(8)一起旋转至结晶取出位置(B)之步骤;接着,于结晶取出位置(B),在将单结晶(8)装载于支承治具(35)状态下,将炉室(5)和支承治具(35)一起下降至既定位置,使支承治具(35)装载于结晶搬出装置(20)之支承台(23)上,而将单结晶(8)交接给支承台(23)之步骤;以及接着,下降支承台(23),自炉室(5)内部取出装载于支承治具(35)之单结晶(18),并收纳于结晶搬出装置(20)之步骤。图式简单说明:图1系本实施形态之单结晶拉晶装置之侧视图。图2系本实施形态之单结晶拉晶装置之俯视图。图3系于结晶取出位置旋转之炉室之侧视图。图4系单结晶支持机构之侧视图。图5系单结晶支持机构之俯视图,其为图4之X-X箭头视图。图6系单结晶支持机构之正视图,其为图4之S-S箭头视图。图7系单结晶支持机构之详细立体图。图8系装载于支持杆之支承治具之俯视图。图9系装载于支持杆之支承治具之侧面之局部截面图。图10系结晶搬出装置之详细图,其为图11之Y-Y视图。图11系结晶搬出装置之详细图。图12系动作说明图。图13系习知结晶拉晶装置之侧面之局部截面图。图14系习知拉晶装置之动作说明图。
地址 日本