发明名称 缺陷位址搜寻装置与缺陷位址搜寻方法
摘要 一种缺陷位址搜寻装置包括:记录部;变换部;及比较部。记录部使记录在资讯记录媒体的缺陷目录以物理位址记录的构成。缺陷目录系包含表示存在于资讯记录媒体中的缺陷之位址的缺陷位址,缺陷位址系以物理位址记述。变换部系由对资讯记录媒体的存取命令所接受的要求位址,使从逻辑位址变换为物理位址的构成。比较部系使记录在记录部的缺陷目录内之缺陷位址与,变换为物理位址的要求位址进行比较的构成。依据在比较部的比较结果,以搜寻存在于要求位址以后的缺陷位址。
申请公布号 TW573296 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW091104651 申请日期 2002.03.13
申请人 东芝股份有限公司 发明人 古桥 忍
分类号 G11B7/00 主分类号 G11B7/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种缺陷位址搜寻装置,包括:一记录部,系使记录在资讯记录媒体的缺陷目录以物理位址记录的构成,该缺陷目录系包含表示存在于该资讯记录媒体中的缺陷之位址的缺陷位址,该缺陷位址系以物理位址记述者;一变换部,系由对该资讯记录媒体的存取命令所接受的要求位址,使从逻辑位址变换为物理位址的构成;以及一比较部,系使记录在该记录部的该缺陷目录内的缺陷位址与,变换为物理位址的该要求位址,进行比较的构成,存在于该要求位址以后的缺陷位址系依据该比较部的比较结果加以搜寻。2.如申请专利范围第1项所述的缺陷位址搜寻装置,该变换部包括:一第一位址暂存器,系成为保持一目标位址的构成,该目标位址,系依照向该资讯媒体的存取命令,接受的一要求位址所生成,该要求位址,系以逻辑位址记述;一第二位址暂存器,系在该记录部,对表示记录该缺陷目录区域的一记录部内位址,加以保持的构成;一步级生成器,系生成步级数的构成;一加算部,系使在该目标位址及该记录部内位址加算该步级数的构成;以及一处理部,系对该加算部命令重复在该目标位址及该记录部内位址加算该步级数,一直至该缺陷位址超过该目标位址,对该比较部,命令比较该目标位址与该缺陷位址,当该缺陷位址超过该目标位址时,对该步级生成部命令顺次使步级数变小,该步级数为所定値时,在该资讯记录媒体,向加算该步级数的该目标位址,实行存取命令的构成;并且该比较部,系使加算该步级数的该目标位址与,在该记录部,加算该步级数的该记录部内位址储存之该缺陷位址进行比较。3.如申请专利范围第2项所述的缺陷位址搜寻装置,该加算部包括:一第一加算器,系使该目标位址加算该步级数;一第二加算器,系使该记录部内位址加算该步级数。4.一种半导体积体电路,包括:一第一位址暂存器,系保持一目标位址的构成,该目标位址系依照向一资讯记录媒体的存取命令,接受的一要求位址所生成,该要求位址系以逻辑位址记述;一第二位址暂存器,系保持记录一缺陷目录的一记录部内位址的构成,该记录部内位址,系在一记录部表示记录该缺陷目录区域的位址,该记录部,系使记录在该资讯记录媒体的该缺陷目录以物理位址记录,该缺陷目录,系包含表示该资讯记录媒体中存在的缺陷之位址的缺陷位址,该缺陷位址系以物理位址记述;一步级生成部,系生成步级数的构成;一加算部,系使该目标位址及该记录内位址加算该步级数的构成;以及一比较部,系使加算该步级数的该目标位址与,在该记录部,加算该步级数的该记录部内位址储存的该缺陷位址进行比较。5.如申请专利范围第4项所述的半导体积体电路,该加算部包含:一第一加算器,系使该目标位址加算该步级数;一第二加算器,系使该记录部内位址加算该步级数。6.一种缺陷位址搜寻方法,包括:一使要求位址从一逻辑位址变换为一物理位址,该要求位址,系从向一资讯记录媒体的存取命令所接受者;使变换为该物理位址的该要求位址与,记录在该资讯记录媒体的一缺陷目录所含之一缺陷位址比较,该缺陷位址系以物理位址记述;以及根据该要求位址与该缺陷位址的比较结果,搜寻该要求位址以后所存在的一缺陷位址。7.一种缺陷位址搜寻方法,包括:在一资讯记录媒体所记录的一缺陷目录内,使包含一定数的缺陷数之一记忆区域,设定为一缺陷搜寻范围,该记忆区域内包含从向该资讯记录媒体的存取命令所接受的一要求位址;使一目标位址与一缺陷位址的比较,一直重复至该缺陷位址超过该目标位址,其中,该目标位址,系以该要求位址为一基准位址,在该基准位址加算一定的一步级数而得,该缺陷位址,系从该缺陷搜寻范围内的先头缺陷,移相当于与该步级数同数之处所存在的缺陷之位址;在该缺陷位址超过该目标位址时,判定该步级数是否大于1;该步级数大于1时,使该步级数顺次变小同时,再设定该缺陷搜寻范围,并重复一目标位址与一缺陷位址的比较,再设定的该缺陷搜寻范围,系从超过该目标位址当前的一缺陷位址至超过该目标位址的一缺陷位址之间的一记空间;以及该步级数等于1时,在该缺陷目录内,超过该目标位址的该缺陷位址以前所存在的缺陷位址数,判定为该要求位址之前方所存在的缺陷数。8.一种缺陷位址搜寻方法,包括:使记录在一资讯记录媒体的一缺陷目录,以物理位址记录于一记录部,该缺陷目录,系包含表示该资讯记录媒体中存在的缺陷之位址的缺陷位址,该缺陷位址,系以物理位址记述;从向该资讯记录媒体的存取命令所接受的一要求位址,计算该要求位址的一理想物理位址,使该理想物理位址由一第一位址暂存器保持为一目标位址,该要求位址,系以逻辑位址记述;使一记录部内位址由一第二位址暂存器保持,该记录部内位址,系在该资讯记录媒体内包含该要求位址的一记忆空间内记录该先头缺陷位址的该记录部内之位址;生成步级数;使该步级数加算于该第一、该第二位址暂存器各保持的该目标位址及该记录部内位址;使加算该步级数的该目标位址与,在该记录部,加算该步级数的该记录部内位址所保持的该缺陷位址,进行比较;该目标位址与该缺陷位址的比较结果,该目标位址超过该缺陷位址时,使该目标位址,及记录该缺陷位址的该记录部内位,由该第一、该第二位址暂存器保持,返回使该步级数加算该目标位址及该记录部内位址;该缺陷位址超过该目标位址时,判定该步级数是否大于1;该步级数大于1时,该步级生成器顺次使步级数变小同时,使该缺陷位址超过该目标位址当前的一目标位址,及记录该缺陷位址的一记录内位址,由该第一、该第二位址暂存器保持,返回使该步级数加算于该目标位址及该记录部内位址;以及该步级数等于1时,在该缺陷目录内,超过该目标位址的该缺陷位址以前所存在的缺陷位址数,判定为该要求位址之前方所存在的缺陷数。9.如申请专利范围第8项所述的缺陷位址搜寻方法,更再包括:判定该缺陷位址数为该缺陷数后,从该第一位址暂存器读出该目标位址;以及用读出的该目标位址为对应该要求位址的一物理位址,向该资讯记录媒体存取,开始该资讯记录媒体的再生、记录中之任一项。10.如申请专利范围第8项所述的缺陷位址搜寻方法,该步级生成器所产生的步级数値系固定在一定値。11.如申请专利范围第8项所述的缺陷位址搜寻方法,该步级生成器所产生的步级数,系从该第二位址暂存器所保持的记录在该记录部内位址的该缺陷位址,至该缺陷位址超过该目标位址时之该缺陷位址间的一记忆空间所含缺陷数的1/2之値。12.如申请专利范围第8项所述的缺陷位址搜寻方法,更再包括:记录部内位址由第二位址暂存器保持后,进行该先头缺陷位址与该理想物理位址的比较;该先头缺陷位址超过该理想物理位址时,进至判定该缺陷的数;以及该理想物理位址超过该先头缺陷位址时,进至生成步级数。13.如申请专利范围第8项所述的缺陷位址搜寻方法,该资讯记录媒体,系数位多用途光碟(DVD:Digital Versatile Disc)。图式简单说明:图1系,从来的缺陷搜寻装置及缺陷搜寻方法之概念图。图2A系,依照本发明的第一实施例之缺陷搜寻装置及缺陷搜寻方法的概念图。图2B系,依照本发明的第一实施例之缺陷搜寻装置的方块图。图3A系,DVD的记忆空间之概念图。图3B系,在DVD的记忆空间内之区段(zone)的概念图。图3C系,在DVD的记忆空间内之缺陷目录的概念图。图4A系,DVD的记忆空间之概念图。图4B系,在DVD的记忆空间内之区段(zone)的概念图。图4C系,在DVD的记忆空间内之缺陷目录的概念图。图5系,依照本发明的第一实施例之缺陷搜寻方法的流程图。图6系,依照本发明的第一实施例之缺陷搜寻方法,表示从DVD内读出缺陷目录情形的模式图。图7A系,在DVD的记忆空间内之区段(zone)的概念图。图7B系,在DVD的记忆空间内之缺陷目录的概念图。图8系,依照本发明的第二实施例之缺陷搜寻方法的流程图。图9A至图9J系,依照本发明的第二实施例之缺陷搜寻方法,顺次表示各步骤的概念图。图10系,DVD的记忆空间之概念图。图11系,表示缺陷目录的一构成之概念图。图12A至图12E系,依照本发明的第三实施例之缺陷搜寻方法,顺次表示各步骤的概念图。图13系,DVD的记忆空间之概念图。图14A至图14D系,依照本发明的第四实施例之缺陷搜寻方法,顺次表示各步骤的概念图。图15A至图15C系,依照本发明的第五实施例之缺陷搜寻方法,顺次表示各步骤的概念图。图16系,依照本发明的第一至第五实施例之变形例的缺陷搜寻装置之方块图。
地址 日本