| 主权项 |
1.一种半导体元件,至少包含:一ESD防护触发器,具有一第一开启电压;及复数个ESD防护指状器具有一第二开启电压,该第二开启电压高于该第一开启电压,以使得当该ESD防护触发器被静电放电触发后,该复数个ESD防护指状器随后可显着地均匀开启;因此,该半导体元件制造时得以不需刻意防止金属矽化物之生成。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中上述之半导体元件系互补式金氧半电晶体具有金属矽化物形成于其上以降低该互补式金氧半电晶体之闸极、源极、及汲极之片电阻。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中上述之ESD防护指状器至少包含金氧半电晶体。4.如申请专利范围第3项之半导体元件,其中上述之金氧半电晶体至少包含nMOS电晶体。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中上述之ESD防护触发器的通道长度短于该ESD防护指状器之通道长度。6.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中上述之ESD防护触发器至少包含金氧半电晶体。7.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中上述之元件系一ESD保护元件。8.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中上述之元件系一具有ESD保护的驱动器。9.如申请专利范围第8项之半导体元件,更包含一反相器。10.一种ESD防护电晶体电路,该电路至少包括:一触发级nMOS电晶体形成于一p型基板上,且连接一源极电阻至接地端;多指状闸极电晶体亦形成于该p型基板上,且源极接地,该触发级nMOS电晶体之源极并且连接至该多指状闸极电晶体之闸极,且该多指状闸极电晶体之闸极的每一支下方之通道较该触发级nMOS电晶体之通道长;该触发级nMOS电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻大于该多指状闸极电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻,以上所指之基极偏压电阻系由基极至接地端,此外该触发级nMOS电晶体连接一闸极偏压电阻至其源极,该多指状闸极电晶体亦各连接一闸极偏压电阻至其源极端;因此,该触发级nMOS电晶体具有较该多指状闸极电晶体更低之热崩溃电压,以使得当静电放电事件产生时该触发级nMOS电晶体先开启,以使源极产生足够偏压以开启该多指状闸极电晶体均匀开启。11.如申请专利范围第10项之电路,其中上述之触发级nMOS电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻大于该多指状闸极电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻系利用基板接触和接地端位置之远近调整。12.如申请专利范围第10项之电路,其中上述之ESD防护电晶体之源极、汲极及闸极具有金属矽化物形成于其上。13.一种ESD防护电晶体电路,该电路至少包括:一触发级nMOS电晶体形成于一p型基板上,且连接一源极电阻至接地端;一二极体,用以反制自元件驱动电路输出之信号触发该触发级nMOS电晶体之启动;多指状闸极电晶体亦形成于该p型基板上,且源极接地,该触发级nMOS电晶体之源极正电压可以顺向偏压通过该二极体而启动与其连接之该多指状闸极电晶体之闸极,且该多指状闸极电晶体之闸极的每一支下方之通道较该触发级nMOS电晶体之通道长;该触发级nMOS电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻大于该多指状闸极电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻,以上所指之基极偏压电阻系由基极至接地端,此外该触发级nMOS电晶体连接一闸极偏压电阻至其源极;因此,该触发级nMOS电晶体具有较该多指状闸极电晶体更低之热崩溃电压,以使得当静电放电事件产生时该触发级nMOS电晶体先开启,以使源极产生足够偏压以开启该多指状闸极电晶体均匀开启。14.如申请专利范围第13项之电路,其中上述之触发级nMOS电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻大于该多指状闸极电晶体之寄生双极性电晶体之基极偏压电阻系利用基板接触和接地端位置之远近调整。15.如申请专利范围第13项之电路,其中上述之ESD防护电晶体之源极、汲极及闸极具有金属矽化物形成于其上。16.如申请专利范围第13项之电路,其中上述之多指状闸极电晶体对内部驱动电路而言,其功能犹如一反相器,因此该内部驱动电路输出信号需经由一反相器再连接至该多指状闸极电晶体之闸极。图式简单说明:图一显示依据习知技术,ESD防护电晶体可能由于汲极金属矽化反应导致不均匀开启之示意图。图二显示依据习知技术,多指状(multi-finger)闸极电晶体电路示意图。图三显示依据本发明技术,包含一ESD触发功能电晶体区及一ESD多指状闸极区的示意图。图四显示依据本发明技术,比较ESD触发功能电晶体区之电晶体与一ESD多指状闸极区之电晶体热崩溃电压不同。图五显示依据本发明技术,说明触发功能电晶体区之电晶体热崩溃后唤醒多指状电晶体后,可操作于小电压下。图六显示依据本发明技术,ESD静电防护电晶体元件也可以应用于驱动器。 |
