| 主权项 |
1.一种液晶显示装置的制造方法,包含:在透明基板上沉积金属层;以第一光罩形成复数条实质上垂直但不接触之金属导线的图案,并蚀刻该金属层;在前述透明基板上依序沉积绝缘层、非晶半导体层、以及高掺杂半导体层;以第二光罩形成覆盖前述金属导线但保留接触窗口之图案,并蚀刻前述高掺杂半导体层、非晶半导体层、以及绝缘层;在前述透明基板上沉积透明导体层;以第三光罩形成像素电极、以及连接前述接触窗口之导电连接线的图案,并蚀刻该透明导体层与前述高掺杂半导体层;在前述透明基板上沉积保护层;以第四光罩形成保护区域的图案,并蚀刻该保护层与前述非晶半导体层。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置的制造方法,其中还以第二光罩形成源极区域、汲极区域、以及连接该源极区域与汲极区域之通道的图案。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置的制造方法,其中还以第三光罩形成接触于前述汲极区域之汲极图案。4.如申请专利范围第3项所述之液晶显示装置的制造方法,其中前述保护区域系覆盖前述导电连接线、通道以及汲极区域。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置的制造方法,其中还以第三光罩形成源极区域、以及汲极区域图案。6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置的制造方法,其中前述保护区域系包括覆盖前述导电连接线之第一保护区域、以及覆盖前述源极区域与汲极区域的第二保护区域。7.如申请专利范围第6项所述之液晶显示装置的制造方法,其中前述第一保护区域与第二保护区域具有一间隙。8.一种液晶显示装置的制造方法,包含:在透明基板上沉积第一金属层;以第一光罩形成复数条实质上垂直但不接触之金属导线的图案,并蚀刻该第一金属层;在前述透明基板上依序沉积绝缘层、非晶半导体层、高掺杂半导体层与第二金属层;以第二光罩形成覆盖前述金属导线但保留接触窗口之图案,并蚀刻第二金属层、高掺杂半导体层、非晶半导体层与绝缘层;在前述透明基板上沉积透明导体层;以第三光罩形成像素电极、以及连接前述接触窗口之导电连接线的图案,并蚀刻该透明导体层与前述高掺杂半导体层;在前述透明基板上沉积保护层;以第四光罩形成保护区域的图案,并蚀刻该保护层与前述非晶半导体层。9.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置的制造方法,其中还以第二光罩形成源极区域、汲极区域、以及连接该源极区域与汲极区域之通道的图案。10.如申请专利范围第9项所述之液晶显示装置的制造方法,其中还以第三光罩形成接触于前述汲极区域之汲极图案。11.如申请专利范围第10项所述之液晶显示装置的制造方法,其中前述保护区域系覆盖前述导电连接线、通道以及汲极区域。12.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置的制造方法,其中还以第三光罩形成源极区域、以及汲极区域图案。13.如申请专利范围第12项所述之液晶显示装置的制造方法,其中前述保护区域系包括覆盖前述导电连接线之第一保护区域、以及覆盖前述源极区域与汲极区域的第二保护区域。14.一种液晶显示装置,系包含复数行扫描线、与该扫描线同一层但不接触之复数列资料线、形成于该扫描线与资料线交会处之薄膜电晶体、以及复数个透明电极,其特征为:前述资料线与扫描线上覆盖一绝缘层,但保留接触窗口;以及,前述同一列之资料线或同一行之扫描线藉由与前述透明电极同一层之导电连接线经由前述接触窗口互相连接。15.如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置,其中前述导电连接线跨过前述扫描线或资料线。16.如申请专利范围第15项所述之液晶显示装置,其中前述导电连接线连接于前述薄膜电晶体之源极区域。17.如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置,还包含一保护层,系覆盖前述导电连接线。18.如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置,还包含形成于前述导电连接线下方之第二金属层。图式简单说明:图1为习知液晶显示装置所形成图案。图2为本发明第一光蚀刻制程后的图案,及其光罩图案。图3为本发明第二光蚀刻制程后的图案,及其光罩图案。图4为本发明第三光蚀刻制程后的图案,及其光罩图案。图5为本发明第四光蚀刻制程后的图案,其(A)为正常图案,(B)为透明导体层不慎产生残留的状态图。图6为沿着图5(A)之A-B线的剖面图。图7为沿着图5(A)之C-D-E-F线的剖面图。图8为沿着图5(B)之G-H线的剖面图。图9为沿着图5(A)之A-B线的剖面图,其中在高掺杂半导体层上还多沉积第二金属层。图10为沿着图5(A)之C-D-E-F线的剖面图,其中在高掺杂半导体层上还多沉积第二金属层。图11为本发明第二实施例之第二光蚀刻制程后的图案,及其光罩图案。图12为本发明第二实施例之第三光蚀刻制程后的图案,及其光罩图案。图13为本发明第二实施例之第四光蚀刻制程后的图案,及其光罩图案。图14为沿着图13(A)之M-N线的剖面图。图15为沿着图13(A)之I-J线的剖面图。 |
