发明名称 磁性多层膜制作装置
摘要 本发明之目的在于,提供一种磁性多层膜制作装置,其系TMR元件或MRAM之制作上之一般性的构造,适于半导体装置厂商用以制作磁性多层膜,为可提高膜性能且可提高生产性者。解决之手段为,一种磁性多层膜制作装置10,其系在基板上将复数的磁性膜分别依序以积层状态沉积以制作磁性多层膜者。其系由将磁性多层膜分为复数的群组(A、B、 C),各个复数的群组均为由连续以积层状态沉积成之复数的磁性膜所形成。各个复数的群组所含有之复数的磁性膜,系在相同的成膜室于上述基板上使其依序沉积所构成。于各个复数的群组所含有之复数的磁性膜,系于相同的1个成膜室17A、17B、17C中在基板上依序沉积所构成。成膜系每一群组各自在不同之成膜室中施行。
申请公布号 TW573038 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW090128918 申请日期 2001.11.22
申请人 安内华股份有限公司 发明人 野村秀二;三好步;恒川孝二
分类号 C23C14/32 主分类号 C23C14/32
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种磁性多层膜制作装置,其系在基板上将含有复数的磁性膜之多层膜依序以积层状态沉积以制作磁性多层膜者;其特征在于:系由将上述复数的磁性膜分为复数的群组,上述各个复数的群组均为由连续以积层状态沉积成之复数的磁性膜所组成,上述各个复数的群组所含有之上述复数的磁性膜,系在相同的成膜室于上述基板上使其依序沉积所构成。2.如申请专利范围第1项之磁性多层膜制作装置,其系对应于上述各个复数的群组各设置一个成膜室,而具备有对应于上述群组数的个数之复数的上述成膜室。3.如申请专利范围第2项之磁性多层膜制作装置,其系于用以形成上述磁性膜之上述复数的成膜室之外,具备有用以形成其他性质之膜的成膜室。4.如申请专利范围第2或3项之磁性多层膜制作装置,其中,上述复数的成膜室,系配置于具备有基板移送装置之位于中央之搬移室的周围。5.如申请专利范围第2项之磁性多层膜制作装置,其系在上述群组中所含有之用以形成上述复数的磁性膜之上述成膜室中,配置有对应于上述群组中所含有之上述复数的磁性膜之复数的靶材,在上述成膜室中,于底面的中央处,上述基板系以回转状态配置,上述复数的靶材以倾斜朝向上述基板的方式设置。6.如申请专利范围第5项之磁性多层膜制作装置,其系在上述成膜室中,于上述复数的靶材的前面分别地设置由可回转之2片的挡板所构成之双重挡门机构。7.如申请专利范围第1项之磁性多层膜制作装置,其中,上述复数的群组之形成,系以金属氧化层与随与其后之磁性层之间分隔作成群组,且以反强磁性层与随其后之磁性层作为相同群组。图式简单说明:图1为表示本发明之磁性多层膜制作装置的代表性的实施形态的构成之平面图。图2(A)-(C)为用以说明制作对象之磁性多层膜的积层构造之3个例子与其群组化。图3为概略地表示本发明之磁性多层膜制作装置的1个成膜室的构成之平面图(A)与纵截面图(B)之图。图4为概略地表示本发明之二重挡门机构之说明图。图5为习知的代表性之磁性多层膜制作装置的平面图。
地址 日本