微影制程以及光阻层之重工制程

摘要

一种微影制程，其系首先在一基底上形成一薄膜，此薄膜之表面系呈现亲水性质，接着在薄膜上形成一第一光阻层。之后，利用旋转涂布法将一溶剂涂布在第一光阻层上，移除第一光阻层之部分厚度，而保留下来之第一光阻层之厚度约为10埃以下。随后，在保留下来之第一光阻层上形成一第二光阻层，然后才进行一曝光制程以及一显影制程，以图案化第二光阻层。由于本发明在薄膜上覆盖一层薄的第一光阻层，以降低薄膜表面之亲水性质，因此可以避免后续于其表面上形成的第二光阻层产生剥离。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿＿＿1E＿＿＿＿图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：100：基底 102：薄膜 104、108：黏着促进层106a：光阻层 110a：光阻图案

主权项

1.一种微影制程,包括:在一基底上形成一薄膜,该薄膜之表面系呈现亲水性质;在该薄膜上形成一第一光阻层;移除该第一光阻层之部分厚度;在保留下来之该第一光阻层上形成一第二光阻层;以及进行一曝光制程以及一显影制程,以图案化该第二光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中移除该第一光阻层之部分厚度之后而保留下来的该第一光阻层之厚度系小于10埃。3.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中移除该第一光阻层之部分厚度之方法是利用旋转涂布法将一溶剂涂布在该第一光阻层上,以移除该第一光阻层之部分厚度。4.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该薄膜包括一抗反射层。5.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中该薄膜之材质包括氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中在形成该第一光阻层之前更包括在该薄膜上形成一黏着促进层。7.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中在保留下来之该第一光阻层上形成该第二光阻层之前更包括在保留下来之该第一光阻层上形成一黏着促进层。8.一种光阻层之重工制程,包括:提供一基底,该基底上已形成有一薄膜,该薄膜之表面系呈现亲水性质,且在该薄膜上已形成一光阻层,在移除该光阻层以暴露出该薄膜之后;在该薄膜上形成一第一光阻层;移除该第一光阻层之部分厚度;以及在保留下来之该第一光阻层上形成一第二光阻层。9.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中移除该第一光阻层之部分厚度之后而保留下来的该第一光阻层之厚度系小于10埃。10.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中移除该第一光阻层之部分厚度之方法是利用旋转涂布法将一溶剂涂布在该第一光阻层上,以移除该第一光阻层之部分厚度。11.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中该薄膜包括一抗反射层。12.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中该薄膜之材质包括氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。13.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中移除该光阻层以暴露出该薄膜之方法是利用湿式剥除法。14.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中在形成该第一光阻层之前更包括在该薄膜上形成一黏着促进层。15.如申请专利范围第8项所述之光阻层之重工制程,其中在保留下来之该第一光阻层上形成该第二光阻层之前更包括在保留下来之该第一光阻层上形成一黏着促进层。图式简单说明:第1A图至第1E图是依照本发明一较佳实施例之微影制程之剖面示意图。