| 主权项 |
1.一种矽晶圆,其系使用捷克劳基斯法在V-多领域成为优势之条件下所培养之矽单晶棒所切出者,其特征为:使用粒子计数器计数粒子时,0.10m尺寸以上之计数数目为1个/cm2以下。2.如申请专利范围第1项之矽晶圆,其中上述0.10m尺寸以上之计数数目为0.1个/cm2以下。3.一种矽单晶之制造方法,其特征为:使用捷克劳斯基法培养矽单晶时,将矽熔点到1400℃间之拉起轴方向之结晶中心之温度坡度,视为G(K/mm),从1150℃到1080℃之温度领域长度视为L(mm),将结晶成长速度视为F(mm/min)时,将其等所计算之1150℃到1080℃温度领域之通过时间L/F(min)成为0.28/(F/G-0.225)2 min以下,且将F/G成为0.22mm2/Kmin以上加以培养。4.如申请专利范围第3项之矽单晶之制造方法,其中将从上述1150℃到1080℃之温度领域之通过时间L/F成为40min以下加以培养。5.如申请专利范围第3项之矽单晶之制造方法,其中将上述F/G成为0.27 mm2/Kmin以下加以培养。6.如申请专利范围第4项之矽单晶之制造方法,其中将上述F/G成为0.27 mm2/Kmin以下加以培养。7.如申请专利范围第3项之矽单晶之制造方法,其中将氮掺杂加以制造。8.如申请专利范围第4项之矽单晶之制造方法,其中将氮掺杂加以制造。9.如申请专利范围第5项之矽单晶之制造方法,其中将氮掺杂加以制造。10.如申请专利范围第6项之矽单晶之制造方法,其中将氮掺杂加以制造。11.如申请专利范围第7项之矽单晶之制造方法,其中将上述所掺杂之氮浓度成为11015个/cm3以下。12.如申请专利范围第8项之矽单晶之制造方法,其中将上述所掺杂之氮浓度成为11015个/cm3以下。13.如申请专利范围第9项之矽单晶之制造方法,其中将上述所掺杂之氮浓度成为11015个/cm3以下。14.如申请专利范围第10项之矽单晶之制造方法,其中将上述所掺杂之氮浓度成为11015个/cm3以下。15.一种矽单晶其特征为由申请专利范围第3项至第14项之任一项之制造方法所培养者。16.一种矽晶圆,其特征为:从申请专利范围第15项之矽单晶所切割制造者。图式简单说明:第1图系表示对于0.10m以上之粒子数之0.12m以上之粒子数之关系之关系图。第2图系对于种种拉起条件之F/G通过1150~1080℃之温度领域之时间L/F所描绘,识别0.10m以上之粒子密度为1个/cm2以下之条件之关系图。第3图系表示对于通过1150~1080℃之温度领域L/F之0.10m以上与0.12m以上之粒子密度比关系之关系图。第4图系表示限于通过1150~1080℃之时间L/F为40min以下条件,对于F/G之0.10m尺寸以上之粒子密度关系之关系图。第5图系表示具有于本发明所使用之冷却筒之CZ法单结晶拉起装置之说明图。第6图系表示通常之CZ法单结晶拉起装置之说明图。第7图系表示在实施例1,2及比较例1,2所得到从结晶所制作之矽晶圆之粒子尺寸分布之结果图。 |
