发明名称 微小型线圈及其制造方法
摘要 一先进的微电子绕组元件包括有一环形核心及复数组绕组,其中此等绕组系藉由一或是多层的绝缘材料所分开;在一具体实施例中,在下一组绕组被缠绕到此核心上前,此绝缘层系被真空沉积在整个第一组绕组的顶部上;以此方式,此等绝缘材料层将整个第一绕组与第二绕组阻绝开,而不需要在个别的此等绕组上有个别的隔绝层,或是使用边缘带;本发明所用的真空沉积绝缘层提供了一高度的介电强度,但是却消耗了最少的空间,那是因为在任一个绕组上的绝缘层皆被最小化;此环形核心也可以选择性的被提供而以一受控的厚度间隙来控制此核心的饱和。一用来制造前述元件的方法所使用的一真空沉积制程则被揭露,其中此绝缘层的厚度及覆盖可以被控制;一改善过的组件构装,微电子连接器,及电路板组成,包括了此经改善的环性核心也被揭露。
申请公布号 TW573303 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW090122665 申请日期 2001.09.12
申请人 帕斯工程公司 发明人 麦可 马威廉斯;乔治 珍;雅各布斯 芬德金夫
分类号 H01F5/00 主分类号 H01F5/00
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中正区忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种环形的电路元件(a toroidal circuit element),包括:一环形核心,该核心至少有一部份包括了具磁穿透性的材料(a magnetically permeable material);一第一导电绕组,其具有复数匝,该第一绕组至少有一部份系被环绕着该核心来设置;至少一层绝缘材料,系被形成在该第一绕组之至少一部份的顶上;以及一第二导电绕组,其具有复数匝,该第二绕组至少有一部份系被环绕着该核心以及该绝缘材料的至少一层的顶上来设置。2.如申请专利范围第1项所述的电路元件,更包括了在该环形核心内至少形成一个间隙。3.如申请专利范围第1项所述的电路元件,其中该第一导电绕组包括了一导体,其具有至少一薄膜被覆被设置其表面的至少一部分上。4.如申请专利范围第2项所述的电路元件,其中该绝缘材料包括了聚对一二甲苯基(Parylene)。5.如申请专利范围第2项所述的电路元件,其中该至少一层的绝缘材料系以一实质上均匀的厚度来沉积。6.如申请专利范围第2项所述的电路元件,其中该至少一层包括了一第一及第二层的绝缘材料,该第一层系被沉积在该第一绕组上,该第二层则被沉积在实质上已聚合的该第一层上。7.如申请专利范围第6项所述的电路元件,更包括一第三层的绝缘层材料,该第三层系被沉积在该核心之表面至少的一部份以及该核心及该第一绕组之间之上。8.如申请专利范围第2项所述的电路元件,其中该至少一间隙系至少部分地由一具有高于该环形核心之磁阻的一材料所填充。9.如申请专利范围第4项所述的电路元件,其中该聚对一二甲苯基(Parylene)系沿着至少该第一绕组的诸自由端的至少一部份来沉积。10.如申请专利范围第1项述的电路元件,更包括:至少一层绝缘材料,系形成在该第二绕组至少一部份的顶部;以及一第三绕组,其具有复数匝,该第三绕组至少一部分系环绕着该核心及被形成在该第二绕组顶部的该至少一层的顶部上来沉积。11.一种电子组件构装,包括:一环形磁穿透性核心,其具有形成在其间的一间隙;一第一绕组,其至少部分地环绕着该核心缠绕,该第一绕组具有一第一及第二端;至少一绝缘材料层,系形成在该第一绕组至少一部份的顶端上;一第二绕组,其环绕着该核心至少一部份及该至少一层绝缘材料的顶部缠绕,该第二绕组具有一第一及第二端;以及一终端阵列,其包括有复数个导电终端;其中该第一及第二绕组的该第一及第二端系跟个别的该等终端之一电性导通。12.如申请专利范围第11项所述的电子组件构装,其中该环形核心系被设置,使得该环形核心的平面系实质上垂直于该终端阵列的平面。13.如申请专利范围第12项所述的电子组件构装,其中整个该环形核心系被设置在该终端阵列的该平面之上。14.如申请专利范围第13项所述的电子组件构装,其中该核心与该第一及第二绕组系附着到该终端阵列上。15.一种微电子组件构装,包括:一基部,其具有至少一内部凹处(recess);一环形核心元件,系被设置在至少部分地该凹处之中,该环形核心元件包括一环形核心及至少第一及第二电性绕组,在该第二绕组被施加到该核心之前,该至少第一及第二绕组藉由被设置在该第一绕组顶部的至少一层的聚合物绝缘体而电气分离,该至少一层的聚合物绝缘体在该第一及第二绕组间提供了一超过3000V/mil的介电强度;复数个导线通道,其中至少该第一及第二绕组至少一部份系被分别承接;以及复数个电线,该等电线系被承接到个别的该等导线通道之一,该等电线系至少与该第一及第二绕组中的一个电性接触。16.一种电路板组成,包括:一底材,其具有一第一表面及一第二表面;复数个导电轨迹,被设置在至少该第一或第二表面之一;一电装置,包括:一环形磁可穿透核心,其中形成有一间隙;一第一绕组缠绕,至少一部分环绕着该核心,且该第一绕组具有一第一及第二端;至少一层的绝缘材料,形成在该第一绕组顶部至少一部份上;一第二绕组缠绕,至少一部份环绕着该核心及该至少一层绝缘材料的至少一部份上,该第二绕组具有一第一及第二端,以及一终端阵列,包括了复数个导电终端;其中该电装置的该第一及第二绕组的该第一及第二端与个别的该等终端之一电性导通,该终端与该复数个导电轨迹至少一部份电性接触。17.一种电性连接器,包括:一连接器本体,其具有:一第一凹处,用来承接其中的一模组插头(a modularplug),该模组插头具有复数个安置于其上的导体;一电装置包括:一环形磁穿透性核心(a toroidal magnetically permeablecore),其具有形成于其中的一间隙;一第一绕组缠绕,至少一部分环绕着该核心,该第一绕组具有一第一及第二端;至少一层的绝缘材料,系形成在该第一绕组顶部至少一部份上;一第二绕组缠绕,至少一部分环绕着该核心以及该至少一层绝缘材料的至少一部份的顶部上,该第二绕组具有一第一及第二端;以及复数个第一电线,其系在该第一及该第二凹处间导通,该第一电线系用来在该模组插头的该导体及该绕组至少之一之间来通过电流,以及复数个第二电线,至少该等绕组之一系与此相连接使得电流可以在该第二导线及至少该等绕组之一通过。18.一种制作一电子元件的方法,该电子元件具有一磁可穿透性的核心以及复数个绕组,包括:提供该磁可穿透性核心;以一第一组绕组缠绕该核心;在该第一组绕组上沉积至少一层的一绝缘被覆;以一第二组绕组来缠绕该核心,该第二组绕组系被设置在至少部分地邻近于该绝缘被覆的该至少一层处,以及终结该等第一及第二组的绕组到复数个终端上。19.如申请专利范围第18项所述的方法,更包括在该核心中形成至少一个间隙。20.如申请专利范围第19项所述的方法,其中形成该至少一间隙的行动包括了使用一锯来切割该核心。21.如申请专利范围第18项所述的方法,其中沉积的行动包括了:形成该第一绕组的诸自由端到至少一预定的长度;在一真空沉积腔中来沉积具该第一绕组之该核心,以及沉积该至少一层的绝缘体在该第一绕组上,包括该等自由端上的至少一部份。22.如申请专利范围第21项所述的方法,其中此沉积行动包括:变形该等自由端使之成为一形状,而用来悬吊出自于另一物体的该元件;提供一物体而由此来悬吊位在该腔中的该元件;以及使用该等自由端的该形状来悬吊出自该物体的该元件。23.如申请专利范围第18项所述的方法,其中沉积的行动包括了沉积一绝缘被覆,而其至少部分地包括了聚对一二甲苯基(Parylene)。24.如申请专利范围第18项所述的方法,更包括了在该第一绕组要被缠绕于其上之前,先沉积一被覆在该核心的表面的至少一部份上。25.一种电子组件构装包括:一磁可穿透核心的装置,其具有一装置来控制其上的饱和,一第一绕组其缠绕系至少部分地环绕该核心装置,该第一绕组具有一第一及第二端;用来绝缘的装置,该绝缘装置系被设置在该第一绕组至少一部份的顶端;一第二绕组缠绕系至少一部分的环绕着该核心及该装置的至少一部份的顶端上以用来绝缘,该第二绕组具有一第一及第二端,及一用来在该第一及第二绕组以及一外部元件之间通过电流的装置;其中该第一及第二绕组的该第一及第二端系跟用来通电的该装置电性导通。图式简单说明:第一图A是一典型的习知技艺之具有一两件核心之变压器设计的一透视组成图,其举出了所用的诸组件。第一图B是第一图A之变压器,在组装并装设到一底材(PCB)后的一透视图。第一图C是第一图B的此组合后的变压器之沿着线1-1的一断面视图,其举出了此等各式组件间的关系。第二图A及第二图B分别是一典型的习用技艺的环型核心变压器的透视及断面视图,其举出了其间的结构。第三图A及第三图B则分别是根据本发明的一包括有一聚合物绝缘层的环型核心变压器元件的一具体实施例的透视及断面视图。第三图C是第三图A至第三图B所举例的变压器元件的一透视图(第二绕组未示出),其较详细的举出了此第一绕组的聚合物被覆。第四图A及第四图B则分别是一环型核心变压器构装在密封前的一第一具体实施例的透视及上平面视图。第四图C则是一环型核心变压器构装在密封前的一第二具体实施例的透视图。第五图A及第五图B则分别是一环型核心变压器构装在密封前的一第三具体实施例的透视及上平面视图。第六图则是一环型核心变压器构装在密封前的一第四具体实施例的透视图。第七图则是第四图A至第四图B的环型核心变压器在密封后并装设到一典型底材(PCB)而形成一电路板组成的一透视图。第八图是根据本发明的一其间设置有一锁制基础元件的复数个环型核心元件的透视图。第九图是本发明的设置有一RJ-45连接器的组件承接处,于其中的此环型核心变压器的一后透视图。第十图是一个逻辑流程图,其举出了本发明之制作流程的一具体实施例。第十一图是本发明之被使用来将聚合物绝缘体施加到此环型核心元件的制作设施及配置。
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