| 主权项 |
1.一种微粒导电填料,其可与聚合物母体一起使用以形成复合材料,其中每个粒子包括:组成为大于50重量%的碳的碳为主中心核心于该碳为主之中心核心上的非贵金属涂层;及于该非贵金属涂层上之外部贵金属涂层。2.如申请专利范围第1项之微粒导电填料,其中该碳为主之中心核心为选择自由天然石墨,合成石墨,碳黑和其混合物所组成之族群中。3.如申请专利范围第2项之微粒导电填料,其中该非贵金属为选择自由镍,铜,铝,锡,钴及锌所组成之族群中。4.如申请专利范围第3项之微粒导电填料,其中该贵金属是选择自由Ag,Au,Pt,Pd,Ir和Rh及其合金所组成之族群中。5.如申请专利范围第1项之微粒导电填料,其中该非贵金属涂层为镍,且该碳为主之中心核心为天然石墨或合成石墨。6.如申请专利范围第5项之微粒导电填料,其中该镍为介于5和90重量%,并包封碳为主之核心。7.如申请专利范围第6项之微粒导电填料,其中该贵金属是约1到40重量%银并且包封镍。8.如申请专利范围第6项之微粒导电填料,其中该贵金属是约1到40%重量的金并且密封镍。9.一种复合材料,其包括具有填料之聚合物母体,填料包括:碳为主之中心核心,一于该碳为主之中心核心上的非贵金属涂层,及一于该非贵金属涂层上的外部贵金属涂层。10.如申请专利范围第9项之复合材料,其中该聚合物母体为矽氧烷聚合物。11.如申请专利范围第9项之复合材料,其中该碳为主之核心是选择自由天然石墨,合成石墨,碳黑及其混合物所组成之族群中。12.如申请专利范围第11项之复合材料,其中该非贵金属为选择自由镍,铜,铝,锡,钴及锌所组成之族群中。13.如申请专利范围第12项之复合材料,其中该贵金属为选择自由Ag,Au,Pt,Pd,Ir和Rh及其合金所组成之族群中。14.如申请专利范围第9项之复合材料,其中该非贵金属涂层为镍,且该中心核心为天然或合成石墨,该镍涂层包封该天然或合成石墨。15.如申请专利范围第14项之复合材料,其中该聚合物母体为矽氧烷聚合物。16.如申请专利范围第14项之复合材料,其中该贵金属为约1到40重量%的银。17.如申请专利范围第16项之复合材料,其中该贵金属为约1到40重量%的金。18.如申请专利范围第16项之复合材料,其中该核心具有约1到300微米之间的大小。19.一种对基材提供EMI屏蔽之方法,其包括下列步骤:形成一聚合物母体及均匀分散于聚合物母体中之该微粒填料之复合物,该微粒填料本质上是由下列所组成:具有组成为大于50重量%碳之碳为主之中心核心,一于该碳为主之中心核心上的非贵金属涂层,及一于该非贵金属涂层上的外部贵金属涂层。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该碳为主之中心核心是选择自由天然石墨,合成石墨,碳黑及其混合物所组成之族群中。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该非贵金属为选择自由镍,铜,铝,锡,钴及锌所组成之族群中。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该贵金属为选择自由Ag,Au,Pt,Pd,Ir和Rh及其合金所组成之族群中。23.如申请专利范围第19项之方法,其中该非贵金属涂层为镍,且该中心核心为天然石墨或合成石墨,该镍构成5到90重量%并包封该碳为主之核心,且其中贵金属为金或银,该金或银构成1到40重量%并包封镍。图式简单说明:图1为用于制备先前技艺导电填料之Ni/C粒子的剖面图;图2为本发明导电填料粒子之具体实施例的剖面图。 |
