| 主权项 |
1.一种混合式碟片之制造方法,其包括以下各步骤:-提供一个在所设之频带中是透明之第一基板(1),-于第一基板之一侧施加一种层序列,其包含一种反射层系统(6),-于该基板(1)之第二侧上施加一种保护层系统,其用来保护该第二表面使不受环境所影响,该保护层系统包含至少一层低于化学计量之氧化矽层及一层氮氧化矽层。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中另包括以下各步骤以施加该反射层系统(6):-施加一个在所设之频带中是半透明之层系统(2),-施加一个在所设之频带中是透明之第二基板(5),-施加该反射层系统(6)。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中施加该反射层系统中之至少一层且至少此层以相同型式之真空涂层方法施加而成。4.如申请专利范围第2项之制造方法,其中施加该半透明层系统之至少一层及该反射层系统之至少一层,且至少此层是以相同型式之真空涂层方法施加而成。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中以溅镀法来沈积该反射层系统之至少一层。6.如申请专利范围第2项之制造方法,其中以溅镀法来沈积该半透明层系统之至少一层及该反射层系统之至少一层。7.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该至少一层之材料之折射率选择成等于透明之第一基板(1)之材料之折射率。8.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该至少一层之材料之折射率n须选择以下之范围:1.47≦n≦1.7。9.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该至少一层之材料之折射率n须选择以下之范围:1.5≦n≦1.6。10.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该层折射率n选择成最多是1.57。11.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该层之材料之消灭常数k须选在以下之范围中:10-4≦k≦510-3。12.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该层之材料之消灭常数k选择成最多是10-3。13.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该层藉由矽靶之反应性溅镀沈积而成。14.如申请专利范围第1项之制造方法,其中沈积该保护层系统,其厚度至少是10nm。15.如申请专利范围第1项之制造方法,其中沈积该保护层系统,其厚度最多是50nm。图式简单说明:第1图一种混合式碟片之一般构造。第2图本发明混合式碟片之一部份,其类似于第1图。第3图由化学计量之二氧化矽(a)或由低于化学剂量之氧化矽(b)所构成之保护层中,混合式碟片上之径向偏差相对于所涂布之湿气保护层厚度之关系。 |
