| 主权项 |
1.一种加入补偿电路之稳定电流源电路包括有:一PMOS电流镜电路,该PMOS电流镜电路连接一电流源,并输出一稳定电流;一NMOS电流镜电路,该NMOS电流镜电路系连接一第三双极电晶体与一补偿第二电阻器;一第三双极电晶体,该第三双极电晶体之一端连接到该NMOS电流镜,而该第三双极电晶体另两端接地;一补偿第四电阻器,该补偿第四电阻器为了补偿电流源其一端连接到该NMOS电流镜电路,另一端连接该补偿电路。2.如申请专利范围第1项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该PMOS电流镜为一第七P型电晶体与一第八P型电晶体闸极相接形成之。3.如申请专利范围第1项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该NMOS电流镜为一第五N型电晶体与一第六N型电晶体闸极相接形成之。4.如申请专利范围第1项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,其中该补偿第四电阻器之一端连接至该NMOS电流镜之一端源极,另一端连接至一补偿电路之一第三电阻器。5.如申请专利范围第1项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该第三双极电晶体之一端射极与该NMOS电晶体一端之源极相接,而该第三双极电晶体之集极与基极接地。6.如申请专利范围第1项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿电路包括该第三电阻器、该补偿第四电阻器与一第二电容器。7.如申请专利范围第5项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿电路之该第三电阻器其一端连接该补偿第四电阻器,另一端接地。8.如申请专利范围第5项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿电路之该第二电容器一端连接到该补偿电路中之该第三电阻器与该补偿第四电阻器之间,其另一端接地。9.如申请专利范围第5项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,其中该第二电容器为一寄生电容器。10.一种加入补偿电路之稳定电流源电路包括有:一PMOS电流镜电路,该PMOS电流镜电路连接一电流源,并输出一稳定电流;一NMOS电流镜电路,该NMOS电流镜电路系连接一第四双极电晶体与一补偿第六电阻器;一第四双极电晶体,该第四双极电晶体之一端连接到该NMOS电流镜,而该第四双极电晶体另两端接地;一补偿第六电阻器,该补偿第六电阻器为了补偿该电流源其一端连接到该NMOS电流镜电路,另一端连接该补偿电路;一补偿第四电容器,该补偿第四电容器两端连接到该NMOS电流镜一端N型电晶体之两极。11.如申请专利范围第10项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该PMOS电流镜为一第十P型电晶体与一第十一P型电晶体闸极相接形成之。12.如申请专利范围第10项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该NMOS电流镜为一第七N型电晶体与一第八N型电晶体闸极相接形成之。13.如申请专利范围第10项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿第六电阻器之一端连接至该NMOS电流镜一端之源极,另一端连接至该第五电阻器。14.如申请专利范围第10项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿第四电容器两端连接至该第七N型电晶体之源极与汲极。15.如申请专利范围第10项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿电路包括该第五电阻器、该补偿第六电阻器、一第三电容器与该补偿第四电容器。16.如申请专利范围第15项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿电路之该第五电阻器一端连接该补偿第六电阻器,另一端接地。17.如申请专利范围第15项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该补偿电路之该第三电容器一端连接至该补偿电路中之该第五电阻器与补偿第六电阻器之间,其另一端接地。18.如申请专利范围第15项所述之加入补偿电路之稳定电流源电路,该第四电容器为一寄生电容器。图式简单说明:第一图系为习用技术一之电流源电路图;第二图系为习用技术二之电流源电路图;第三图系为本发明第一实施例之补偿电阻型式之外接电阻稳定电流源电路图;第四图系为本发明第二实施例之补偿电阻与电容型式之外接电阻稳定电流源电路图;第五图系为本发明用电晶体的小讯号模型与负载电阻代换元件电路图。 |
