| 主权项 |
1.一种用来在半导体晶圆上形成铜配线之铜电镀方法,其特征在于,浸渍于含有择自咪唑、唑、1,2,3-三唑、1,2,3-唑、1,2,3,4-四唑、1,2,3,4-三唑、地巴唑、苯并咪唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基-1-H-苯并三唑之至少一种的唑类或择自咪唑矽烷、氨矽烷、环氧矽烷、乙烯矽烷、甲基丙烯酸矽烷、巯矽烷之至少一种的矽烷偶合剂,且含有主成分为硫酸铜、硫酸、氯以及添加剂的硫酸铜电镀液中1~60秒,进行在半导体晶圆上所形成之配线图案的微细通孔或槽渠的填入。2.如申请专利范围第1项之铜电镀方法,系浸渍3~10秒。3.如申请专利范围第1或第2项之铜电镀方法,系含有1~10000mg/L之唑类或矽烷偶合剂。4.如申请专利范围第1或第2项之铜电镀方法,系含有10~5000mg/L之唑类或矽烷偶合剂。5.一种针对半导体晶圆上形成铜配线之铜电镀方法,其特征在于,浸渍于含有择自咪唑、唑、1,2,3-三唑、1,2,3-唑、1,2,3,4-四唑、1,2,3,4-三唑、地巴唑、苯并咪唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基-1-H-苯并三唑之至少一种的唑类或择自咪唑矽烷、氨矽烷、环氧矽烷、乙烯矽烷、甲基丙烯酸矽烷、巯矽烷之至少一种的矽烷偶合剂之水溶液之后,以含有主成分为硫酸铜、硫酸、氯以及添加剂的硫酸铜电镀液进行电镀,进行在半导体晶圆上所形成之配线图案的微细通孔或槽渠的填入。6.如申请专利范围第5项之铜电镀方法,系于含有唑类或矽烷偶合剂的水溶液中浸渍1~60秒。7.如申请专利范围第5项之铜电镀方法,系于含有唑类或矽烷偶合剂的水溶液中浸渍3~10秒。8.如申请专利范围第5~7项中任一项之铜电镀方法,系含有1~10000mg/L之唑类或矽烷偶合剂。9.如申请专利范围第5~7项中任一项之铜电镀方法,系含有10~5000mg/L之唑类或矽烷偶合剂。 |
