| 主权项 |
1.一种用以在基材上沈积锡-铜合金之电解质组成物,包括5至100g/L锡、0.01至10g/L铜、一种或多种存在量为10至400mL/L之酸性电解质及选择性地一种或多种添加剂,其中此组成物实质上不含铅。2.如申请专利范围第1项之组成物,其中锡系选自包括锡卤化物、硫酸锡、烷磺酸锡、烷醇磺酸锡及其混合物之组群之锡化合物态。3.如申请专利范围第1项之组成物,其中铜系选自包括铜化物、硫酸铜、烷磺酸铜、烷醇磺酸铜及其混合物之组群之铜化合物。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中酸性电解质系选自包括烷磺酸、硫酸、胺基磺酸、氢氯酸、氢溴酸及氟代硼酸之组群者。5.如申请专利范围第1项之组成物,又包括水。6.如申请专利范围第1项之组成物,其中添加剂系选自包括合金材料、还原剂、湿润剂、亮光剂及其混合物之组群者。7.一种在基材上沈积锡-铜合金之方法,包含使基材与申请专利范围第1项之电解质组成物接触再使电流流经电解质以在基材上沈积锡-铜合金的步骤,其中该合金实质上不含铅,并且所使用之电流的电流密度为1至2000ASF。8.如申请专利范围第7项之方法,其中基材系选自包括铜、铜合金、镍、镍合金、含有镍-铁之材料、电子构件、及塑料之组群者。9.如申请专利范围第8项之方法,其中电子构件系选自包括导线框架、半导体包装物、构件、连接器、接点、晶片电容器、晶片电阻器、印刷配线板之组群者。10.一种依据申请专利范围第7项之方法制得之其上沈积有锡-铜合金之基材,其中该锡-铜合金包括0.01至20wt%铜及80至99.99wt%锡,并且该合金实质上不含铅。11.一种具有合金沈积层之基材,该合金包括0.01至20wt%铜及80至99.99 wt%锡,其中该合金实质上不含铅。12.一种锡-铜合金之高速电镀方法,包括下列步骤:a)利用高速电镀设备,其包括电解槽;邻近电解槽之溢流储存器;使溶液自储存器回流到电解槽之装置;引导欲镀覆之基材自于电解槽之一端入口点至电解槽之第二端出口之装置;b)导入包括5至100g/L锡、0.01至10g/L铜、一种或多种存在量为10至400mL/L之酸性电解质及选择性地一种或多种添加剂之基础溶液之电解质组成物,其中该基础溶液实质上不含铅;及c)当基材通过电解槽内之电解溶液时于1至2000ASF之电流密度及于高速电镀之足够温度以锡-铜合金持续地电镀基材。13.一种沈积锡-铜合金之方法,包含下列步骤:a)使印刷配线板与包括5至100g/L锡、0.01至10g/L铜、一种或多种存在量为10至400mL/L之酸性电解质及选择性地一种或多种添加剂之电解质组成物接触,其中该电解质组成物实质上不含铅,及b)使电流密度为1至2000ASF之电流流经电解质以在印刷配线板上沈积锡-铜合金。14.如申请专利范围第13项之方法,其中锡系选自包括锡卤化物、硫酸锡、烷磺酸锡、烷醇磺酸锡及其混合物之组群之锡化合物态。15.如申请专利范围第13项之方法,其中铜系选自包括铜卤化物、硫酸铜、烷磺酸铜、烷醇磺酸铜及其混合物之组群之铜化合物态。16.如申请专利范围第13项之方法,其中酸性电解质系选自包括烷磺酸、硫酸、氢氯酸、氢溴酸及氟代硼酸之组群者。17.如申请专利范围第13项之方法,其中添加剂系选自包括合金材料、还原剂、湿润剂、亮光剂及其混合物之组群者。18.一种具有锡-铜合金沈积层之印刷配线板,其中该锡-铜合金包括0.01至20wt%铜及80至99.99wt%锡,并且该合金实质上不含铅。19.如申请专利范围第18项之印刷配线板,其中该印刷配线板系包含于一装置中。 |
