发明名称 辉光放电装置之电弧判定方法及高频率电弧放电抑制装置
摘要 在使用高频率电源PS之辉光放电装置GD之电弧判定方法中,令往辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,当dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,则于T1时间往高频率电源PS输出切断脉冲,且停止往前述辉光放电装置之供电后,若于设定时间To内,Vr/Vf高于第2位准,则判定为已产生电弧放电。
申请公布号 TW573392 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW091122869 申请日期 2002.10.03
申请人 芝浦制作所股份有限公司 发明人 栗山昇
分类号 H01T1/12 主分类号 H01T1/12
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种电弧判定方法,系用于使用高频率电源之辉光放电装置者,令往前述辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,当dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,则于T1时间往前述高频率电源输出切断脉冲,且停止往前述辉光放电装置之供电后,若于设定时间To内,Vr/Vf高于第2位准,则判定为已产生电弧放电。2.一种电弧切断方法,系在用于使用高频率电源之辉光放电装置之电弧判定方法中,令往前述辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,当dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,则于T1时间往前述高频率电源输出切断脉冲,且停止往前述辉光放电装置之供电后,若于设定时间To内,Vr/Vf高于第2位准,则判定为已产生电弧放电,又,在藉该判定检测电弧后,于T1时间停止来自前述高频率电源之供电。3.一种电弧判定方法,系用于使用高频率电源之辉光放电装置者,令往前述辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,当dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,则于T1时间往前述高频率电源输出切断脉冲,且停止往前述辉光放电装置之供电后,若于设定时间To内,Vr/Vf高于第2位准,且Vf > Vfmax0.05,则判定为已产生电弧放电。4.一种电弧切断方法,系在用于使用高频率电源之辉光放电装置之电弧判定方法中,若使往前述辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,当dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,则于T1时间往前述高频率电源输出切断脉冲,且停止往前述辉光放电装置之供电后,若于设定时间To内,Vr/Vf超过第2位准,且Vf > Vfmax0.05,则判定为已产生电弧放电,又,在藉该判定检测电弧后于T1时间停止前述高频率电源之供电。5.如申请专利范围第1或3项之电弧判定方法,前述第1位准为Vmax*0.05 ~ Vmax * 0.2,而第2位准为0.5 ~ 0.95。6.如申请专利范围第2或4项之电弧切断方法,前述第1位准为Vmax*0.05 ~ Vmax * 0.2,而第2位准为0.5 ~ 0.95。7.如申请专利范围第1或3项之电弧判定方法,当前述Vr/Vf高于第2位准持续超出T2时间,则判定为已产生电弧放电。8.如申请专利范围第2或4项之电弧切断方法,当前述Vr/Vf高于第2位准持续超出T2时间,则判定为已产生电弧放电。9.如申请专利范围第7项之电弧判定方法,前述第1位准为Vmax*0.05 ~ Vmax*0.2,而第2位准为0.5~0.95。10.如申请专利范围第8项之电弧切断方法,前述第1位准为Vmax*0.05 ~ Vmax*0.2,而第2位准为0.5~0.95。11.如申请专利范围第1或3项之电弧判定方法,前述设定时间To系由前述切断脉冲下降开始进行计时者。12.如申请专利范围第2或4项之电弧切断方法,前述设定时间To系由前述切断脉冲下降开始进行计时者。13.如申请专利范围第7项之电弧判定方法,前述设定时间To系由前述切断脉冲下降开始进行计时者。14.如申请专利范围第8项之电弧切断方法,前述设定时间To系由前述切断脉冲下降开始进行计时者。15.一种电弧判定方法,系用于使用高频率电源之辉光放电装置者,令往前述辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,藉Vr/Vf低于第3位准来判定已取得辉光放电装置之负荷之阻抗匹配,之后若Vr/Vf高于第2位准则判定为已产生电弧放电。16.一种电弧切断方法,系在用于使用高频率电源之辉光放电装置之电弧判定方法中,令往辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,藉Vr/Vf低于第3位准来判定已取得辉光放电装置之负荷之阻抗匹配,之后若Vr/Vf高于第2位准则判定为已产生电弧放电,又,在藉该判定检测电弧后于T1时间停止来自前述高频率电源之供电。17.一种电弧判定方法,系用于使用高频率电源之辉光放电装置者,令往辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,藉Vr/Vf低于第3位准来判定已取得辉光放电装置之负荷之阻抗匹配,之后若Vr/Vf高于第2位准,且Vf > Vfmax0.05,则判定为已产生电弧放电。18.一种电弧切断方法,系在用于使用高频率电源之辉光放电装置之电弧判定方法中,令往辉光放电装置之进行波电压为Vf、反射波电压为Vr,藉Vr/Vf低于第3位准来判定已取得辉光放电装置之负荷之阻抗匹配,之后若Vr/Vf高于第2位准,且Vf>Vfmax0.05则判定为已产生电弧放电,又,在藉该判定检测电弧后于T1时间停止来自前述高频率电源之供电。19.如申请专利范围第15或17项之电弧判定方法,前述第2位准为0.5 ~ 0.95,而前述第3位准为0.05~0.5。20.如申请专利范围第16或18项之电弧切断方法,前述第2位准为0.5 ~ 0.95,而前述第3位准为0.05~0.5。21.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一第1切断脉冲输出部,系当由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,于T1时间往高频率电源输出切断脉冲者;及一第2切断脉冲输出部,系由第1切断脉冲输出部输出切断脉冲后,于设定时间To内,当Vr/Vf大于第2位准时,于T1时间再度往前述高频率电源输出切断脉冲者。22.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一第1切断脉冲输出部,系当由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,于T1时间往高频率电源输出切断脉冲者;及一第2切断脉冲输出部,系由第1切断脉冲输出部输出切断脉冲后,于设定时间To内,当Vr/Vf大于第2位准时,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者;又,其系构造成该第2切断脉冲输出部将前述切断脉冲往前述高频率电源输出后,于设定时间To内,当Vr/Vf大于第2位准时,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者。23.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一第1切断脉冲输出部,系当由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,于T1时间往高频率电源输出切断脉冲者;及一第2切断脉冲输出部,系由第1切断脉冲输出部输出切断脉冲后,于设定时间To内,当Vr/Vf大于第2位准时,且Vf>Vfmax0.05,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者。24.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一第1切断脉冲输出部,系当由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系dVr/dt-dVf/dt大于第1位准时,于T1时间往高频率电源输出切断脉冲者;及一第2切断脉冲输出部,系由第1切断脉冲输出部输出切断脉冲后,于设定时间To内,当Vr/Vf大于第2位准,且Vf>Vfmax0.05时,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者;又,其系构造成该第2切断脉冲输出部将前述切断脉冲往前述高频率电源输出后,于设定时间To内,当Vr/Vf大于第2位准,且Vf > Vfmax0.05时,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者。25.如申请专利范围第21.22.23或24项之高频率电弧放电抑制装置,前述第1位准为Vmax * 0.05 ~ Vmax * 0.2,而第2位准为0.5 ~ 0.95。26.如申请专利范围第21.22.23或24项之高频率电弧放电抑制装置,其中该第2切断脉冲输出部系当前述Vr/Vf高于第2位准持续超过T2时间时,则判定为已产生电弧放电。27.如申请专利范围第26项之高频率电弧放电抑制装置,前述第1位准为Vmax*0.05~Vmax*0.2,而第2位准为0.5~0.95。28.如申请专利范围第21.22.23或24项之高频率电弧放电抑制装置,前述设定时间To系由前述切断脉冲下降开始进行计时者。29.如申请专利范围第26项之高频率电弧放电抑制装置,前述设定时间To系由前述切断脉冲下降开始进行计时者。30.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一匹配记忆部,系当用以记忆由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系Vr/Vf低于第3位准时,取得负荷之匹配者;及一切断脉冲输出部,系于该匹配记忆部进行记忆取得负荷之匹配期间,当Vr/Vf高于第2位准时,将切断脉冲往前述高频率电源输出者。31.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一匹配记忆部,系当用以记忆由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系Vr/Vf低于第3位准时,取得负荷之匹配者;及一切断脉冲输出部,系于该匹配记忆部进行记忆取得负荷之匹配期间,当Vr/Vf高于第2位准时,将切断脉冲往前述高频率电源输出者;又,其系构造成于该匹配记忆部记忆进行取得负荷之匹配期间,当Vr/Vf高于第2位准时,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者。32.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一匹配记忆部,系当用以记忆由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系Vr/Vf低于第3位准时,取得负荷之匹配者;及一切断脉冲输出部,于该匹配记忆部进行记忆取得负荷之匹配期间,当Vr/Vf高于第2位准,且Vf>Vfmax0.05时,将切断脉冲往前述高频率电源输出者。33.一种高频率电弧放电抑制装置,包含有:一辉光放电装置,系用以由高频率电源透过电力计、阻抗匹配电路而供给者;一匹配记忆部,系当用以记忆由前述电力计取出之进行波电压Vf、反射波电压Vr之关系Vr/Vf低于第3位准时,取得负荷之匹配者;及一切断脉冲输出部,于该匹配记忆部进行记忆取得负荷之匹配期间,当Vr/Vf高于第2位准,且Vf>Vfmax0.05时,将切断脉冲往前述高频率电源输出者;又,其系构造成该切断脉冲输出部将前述切断脉冲往前述高频率电源输出后,于设定时间To内,当Vr/Vf高于第2位准,且Vf>Vfmax0.05时,再度将切断脉冲于T1时间往前述高频率电源输出者。34.如申请专利范围第30.31.32或33项之高频率电弧放电抑制装置,前述第2位准为0.5~0.95,而前述第3位准为0.05~0.5。图式简单说明:第1图系显示有关本发明之第1实施型态之高频率电弧放电抑制装置之构造图。第2图系显示有关本发明之第2实施型态之高频率电弧放电抑制装置之构造图。第3图系显示有关本发明之第3实施型态之高频率电弧放电抑制装置之构造图。第4A图及第4B图系分别显示本发明及习知之动作之动作波形图。第5图系显示习知之高频率电弧放电抑制装置之构造图。
地址 日本