| 主权项 |
1.一种研磨组合物,其利用研磨垫研磨以移除半导体基材上之下层电介质层之金属,该组合物包括:提供具有个别矽烷醇分子之物质之水溶液,该物质为具有可溶矽烷醇之矽氧烷,该矽氧烷为式M-Si-X3之化合物其中M为分子构造,其中Si为矽,其中X包含X1及X2及X3,且X1及X2及X3之至少之一,或X1及X2及X3之一种以上为可形成相对应可溶矽烷醇之可分解离子类,且其中各X1及X2及X3相互间为相同或不同,及由水溶液之离子浓度所形成分子上之可溶矽烷醇,且其中,可溶矽烷醇在该研磨过程中会吸附在藉由研磨组合物形成水合之电介质层之表面上,其中该研磨组合物之总离子强度系大于0.1莫尔且低于1莫耳。2.如申请专利范围第1项之研磨组合物,尚包括氧化剂及错合剂。3.如申请专利范围第1项之研磨组合物,且尚包括水溶液中之磨耗颗粒,该可溶矽烷醇与磨耗颗粒不反应。4.如申请专利范围第1项之研磨组合物,其中之矽氧烷为式R-Si-X3之化合物,其中R为成为分子构造次组元之疏水基,其中Si为矽,其中X包含X1及X2及X3,且X1及X2及X3之至少之一,或X1及X2及X3之一种以上为可形成相对应可溶矽烷醇之可分解离子类,且其中各X1及X2及X3相互间为相同或不同。5.如申请专利范围第1项之研磨组合物,其中之矽氧烷为季铵矽氧烷。6.一种以研磨垫及研磨组合物研磨半导体基材以自半导体基材上之下层电介质层移除金属之方法,该方法包括之步骤为:提供具有个别矽烷醇分子之物质,且具有在分子上形成个别可溶矽烷醇之离子浓度之水溶液为研磨组合物,及使可溶矽烷醇在该研磨过程中吸附在藉由研磨组合物形成水合之电介质层之表面上。7.如申请专利范围第6项之方法,另包括之步骤为:以水溶液中之氧化物及错合剂研磨半导体基材。8.如申请专利范围第6项之方法,另包括之步骤为:自固着在研磨垫上、自研磨垫释出及添加于研磨组合物之一种或多种提供磨耗颗粒。 |
