| 主权项 |
1.一种正作用抗热蚀元件,包括一金属次层、合金 次层或印刷板包含一基材具有至少一金属表面且 带有一正作用抗热蚀剂黏着于该至少一金属表面, 该正作用抗热蚀层包含一种缩醛聚合物包含通式: 其中R1为-CnH2n+1此处n=1-12;R2为 其中R4=-OH;R5=-OH或-OCH3-或Br-或-O-CH2-C≡CH;以及R6=Br- 或NO2 R3=-(CH2)n-COOH或-C≡CH或 此处R7=COOH,-(CH2)3COOH,-O-(CH2)2-COOH, 以及m=5-40%莫耳比, n=10-60%莫耳比, o=0-20%莫耳比, p=1-10%莫耳比, q=5-50%莫耳比;以及 一种红外光吸收材料其含量系占该正作用抗热蚀 层之0.01至20%重量比。2.如申请专利范围第1项之正 作用抗热蚀元件,其中该正作用抗热蚀层为一种正 作用抗热蚀层包含: 一种缩醛聚合物,包含5-40%(莫耳基准)脂族缩醛基, 以及10-60%(莫耳基准)酚系缩醛基,以及 一种红外光吸收材料,其含量系占正作用抗热蚀层 之0.01至20%重量比。3.如申请专利范围第1或2项之 正作用抗热蚀元件,其中该金属系选自铬、铝及铜 组成的组群。4.如申请专利范围第1或2项之正作用 抗热蚀元件,其中该金属系选自铝及铜组成的组群 ;以及该抗热蚀层含有黏着促进量之带有炔属键结 之化合物。5.如申请专利范围第1或2项之正作用抗 热蚀元件,其中至少一个于该旁出基缩醛树脂之旁 出基具有含炔属键结基于其中。6.如申请专利范 围第1或2项之正作用抗热蚀元件,其中该红外光吸 收材料包括一种红外光吸收颜料。7.如申请专利 范围第1或2项之正作用抗热蚀元件,其中该红外光 吸收材料包括一种红外光吸收染料。8.如申请专 利范围第1或2项之正作用抗热蚀元件,其中该抗热 蚀层不含光敏化合物,其当使用紫外光或可见光辐 射照射时可变更其显像能力。9.如申请专利范围 第1或2项之正作用抗热蚀元件,其中该抗热蚀层具 有平均厚度为1至30微米。10.一种正作用抗热蚀元 件,包含一含铜基材于该基材之至少一表面上黏合 有一具有厚度为1至30微米之正作用抗热蚀层,该层 包含: a)一种缩醛聚合物,包含5-40%(莫耳基准)脂族缩醛基 ,以及10-60%(莫耳基准)酚系缩醛基,以及 b)一种红外光吸收材料,其含量系占正作用抗热蚀 层之0.01至20%重量比。11.一种乾膜可积层抗蚀元件 ,包含一可去除载具,于其离型表面上可去除式附 着有一厚度由约3至50微米之正作用抗热蚀层,以及 该层包含: 一种缩醛聚合物,包含5-40%(莫耳基准)脂族缩醛基, 以及10-60%(莫耳基准)酚系缩醛基,以及 一种红外光吸收材料,其含量系占正作用抗热蚀层 之0.01至20%重量比。12.一种合成如申请专利范围第 1项之聚乙烯基缩醛聚合物之方法,包含a)使用羟基 取代芳族醛及强催化剂酸缩醛化聚乙烯醇,以及控 制使用羟基取代芳族醛进行缩醛化所得达成之缩 醛基水解量,该控制方式系经由于缩醛反应完成前 ,藉蒸馏而由聚乙烯醇及羟基取代芳族醛中去除水 ,俾减少聚乙烯醇及羟基取代芳族醛之水量而达成 ;或b)使用羟基取代芳族醛及强催化剂酸缩醛化聚 乙烯醇,以及控制使用羟基取代芳族醛进行缩醛化 所得达成之缩醛基水解量,该控制方式系经由于缩 醛反应完成前,经由添加可与水反应而产生挥发性 及/或惰性材料。13.如申请专利范围第12项之方法, 其中可与水反应之材料系选自有机碳酸盐类、碳 酸或羧酸之原酸酯类、及含矽化合物组成的组群 。14.一种于印刷板表面上制造一成像图样之直接 方法,该方法包含形成如申请专利范围第1项之正 作用抗热蚀印刷板之各步骤: a)导引具有足够强度通量之聚焦能束至该薄膜之 选定区俾于组合物之溶解度性质执行热感应转变; 以及 b)薄膜接触一种显像剂,该显像剂可由受能束撞击 区中有效去除组合物。15.如申请专利范围第14项 之方法,其中该基材表面包含铜或铝。16.如申请专 利范围第14项之方法,其中该正作用抗蚀组合物进 一步包括黏着促进用量之一种含炔属键结之化合 物。 |
