发明名称 多偶氮基化合物或其盐,以及含有该化合物或盐之染料系偏光膜
摘要 本发明提供下式(I)之多偶氮基化合物或其盐:式中,A代表具有1至3个磺基之基或具有1至2个选自磺基及羧基之亲水基及视需要具有低级烷基或低级烷氧基之苯基;B代表-NHCO-或-N=N-;n代表0或1;R1至R6代表氢、低级烷基或低级烷氧基;R7代表氢或磺基;当B为-N=N-时,D代表-N=N-,当B为-NHCO-时,则D代表-NHCO-、-N=N-或-NH-;及E代表视需要具有1至3个选自羟基、胺基、硝基、磺基、羧基、低级烷基及低级烷氧基的基团之苯基;及提供一种显示高度偏光力之染料系偏光摸,该偏光膜于长期暴露下,耐用性及耐光性极佳,系利用添加上述多偶氮基化合物或其盐而制得。
申请公布号 TW572970 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW090128658 申请日期 2001.11.20
申请人 住友化学工业股份有限公司 发明人 太田义辉;林成年;芦田彻
分类号 C09B31/20;C09B31/072;G02B5/30 主分类号 C09B31/20
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种下式(I)之多偶氮基化合物或其盐, 式中, A代表具有1至3个磺基之基或具有1至2个选自磺 基及羧基之亲水基及视需要具有低级烷基或低级 烷氧基之苯基; B代表-NHCO-或-N=N-; n代表0或1,惟当B代表-N=N-时,n代表0; R1至R6相同或不同及代表氢、低级烷基或低级烷氧 基,惟当n代表0时,R1至R4代表氢或低级烷基; R7代表氢或磺基; 当B为-N=N-时,D代表-N=N-,当B为-NHCO-时,则D代表-NHCO- 、-N=N-或-NH-;及 E代表视需要具有1至3个选自羟基、胺基、硝基、 磺基、羧基、低级烷基及低级烷氧基的基团之苯 基。2.如申请专利范围第1项之多偶氮基化合物或 其盐,其中B代表-NHCO-,及n代表0。3.如申请专利范围 第1项之多偶氮基化合物或其盐,其中B代表-NHCO-,及 n代表1。4.如申请专利范围第1项之多偶氮基化合 物或其盐,其中B代表-N=N-。5.如申请专利范围第1项 之多偶氮基化合物或其盐,其中A代表具有2至3个磺 基之基或具有1至2个选自磺基及羧基之亲水基 之苯基。6.如申请专利范围第1项之多偶氮基化合 物或其盐,其中A代表4-磺苯基、1,5-二磺基-2-基 、6,8-二磺基-2-基、4,8-二磺基-2-基、5,7-二磺 基-2-基或3,6-二磺基-2-基。7.如申请专利范围 第1项之多偶氮基化合物或其盐,其中R1至R6代表氢 或甲基。8.如申请专利范围第1项之多偶氮基化合 物或其盐,其中R7代表氢。9.如申请专利范围第1项 之多偶氮基化合物或其盐,其中E代表4-羟苯基或4- 胺苯基。10.一种染料系偏光膜,该偏光膜系利用添 加如申请专利范围第1项之多偶氮基化合物或其盐 于偏光膜基质中而制得。11.如申请专利范围第10 项之染料系偏光膜,其中该偏光膜基质系由聚乙烯 醇系树脂制造之聚合物膜。
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