复合半导体单晶之制法

摘要

本发明提出一种用以制造复合半导体单晶之方法，其步骤包含：将复合半导体原料置于坩锅中，将此坩锅置于直立式加热炉中，以藉加热器加热和熔解此原料，藉由使固体原料留在一部分原料熔融物中，促进原料熔融物表面上的成核作用，自无晶种的原料熔融物表面开始逐渐固化原料熔融物，及使用藉成核作用形成的核来生长晶体。

主权项

1.一种复合半导体单晶之制法,其特征在于其步骤 包含: 将复合半导体原料置于坩锅中, 将此坩锅置于直立式加热炉中,藉加热器加热并熔 解此原料以增加该原料熔融物表面之温度高于该 原料之熔点不超过15℃, 藉由使固体原料留在一部分原料熔融物中,促进原 料熔融物表面上的成核作用, 降低该原料熔融物表面之温度至低于该原料之熔 点,且保持该原料熔融物之温度梯度低于10℃/cm以 自无晶种的原料熔融物表面开始逐渐固化原料熔 融物,及 使用藉成核作用形成的核来生长晶体。图式简单 说明: 附图1A所示者为平底坩锅内部及其温度分布,附图1 B所示者是具内容部分的坩锅内部及其温度分布; 而 附图2所示者是本发明用于VGF法时所用的晶体生长 炉。