| 主权项 |
1.一种用来沉积一物质于一基材上的溅镀标靶,其包含一圆形碟片,该圆碟具有一半径及一顶面,该顶面具有一中心区位于该半径的内半部分内,一外环形区位于该半径的外半部分内及一基础区将该中心区与该环形区分隔开来,该外环形区具有一突起高度用来延长该溅镀标靶的寿命及该中心区具有一低于该外环形区的突起高度之突起高度,该突起高度是从该基础区测量起的,用来提高在该基材上与中心区相邻处的溅镀沉积率并改善该溅镀标靶的溅镀均匀性。2.如申请专利范围第1项所述之溅镀标靶,其中该中心区为一高度一致之实心的圆碟形突起。3.如申请专利范围第1项所述之溅镀标靶,其中该中心区包含一圆碟形突起及一凹窝区位在该圆碟形突起内。4.一种用来沉积一物质于一基材上的溅镀标靶,其包含一圆形碟片,该圆碟具有一半径及一顶面,该顶面具有一中心区位于该半径的内35%部分内,一外环形区区其位在该半径的外60%部分内及一基础区将该中心区及外环形区隔开来,该外环形区具有一突起高度用来延长该溅镀标靶的寿命及该中心区具有一突起高度其比该外环形区的突起高度小20至80%,该突起高度是从该基础区测量起的,用来提高在该基材上与中心区相邻处的溅镀沉积率并改善该溅镀标靶的溅镀均匀性,及该标靶具有一最初的晶圆至阴极间距及一第二的晶圆至阴极间距以获得均匀的溅镀,该第二晶圆到阴极间距大于该最初的晶圆至阴极间距。5.如申请专利范围第4项所述之溅镀标靶,其中该中心区的突起高度比该外环形区的突起高度小30至70%。6.如申请专利范围第4项所述之溅镀标靶,其中该标靶为铝或铝合金且该标靶以1.5%之最大的薄膜电阻均匀度来涂布该基材且其在一使用A式磁铁的旋转式磁控管溅镀室内具有至少1000kwh的寿命。7.一种将一物质溅镀至一基材上的方法包含:将一与位在一溅镀室内的阴极相邻的钝气离子化,该阴极具有一最初的晶圆至该阴极的间距及一第二晶圆至该阴极的间距用以均匀地溅镀,该第二晶圆至阴极间距大于该最初的晶圆至阴极间距;在该最初的晶圆至阴极间距下,用一旋转式磁控管将原子从该阴极中驱射出而沉积一涂层于该晶圆上,该最初的间距可让该溅镀沉积均匀性在一最初的时间中获得最佳化;及在该第二晶圆至阴极的间距下,在该最初的时间之后用该旋转磁控管将额外的原子从该阴极中驱射出用以沉积该涂层于该晶圆上,该第二晶圆至阴极的间距可让该溅镀沉积均匀性在一第二时间中获得最佳化。8.一种将一物质溅镀至一基材上的方法包含:将一与位在一溅镀室内的圆形阴极相邻的钝气离子化,该圆形阴极具有一半径及一顶面,该顶面具有一中心区位于该半径的内半部分内,一外环形区位于该半径的外半部分内及一基础区将该中心区与该环形区分隔开来,该外环形区具有一突起高度用来延长该机镀标靶的寿命及该中心区具有一低于该外环形区的突起高度之突起高度,该突起高度是从该基础区测量起的,及该阴极具有一最初的晶圆至该阴极的间距及一第二晶圆至该阴极时间距用以均匀地溅镀,该第二晶圆至阴极间距大于该最初的晶圆至阴极间距;在该最初的晶圆至阴极间距下,用一旋转式磁控管将原子从该阴极中驱射出而沉积一涂层于该晶圆上,该最初的间距可让该溅镀沉积均匀性在一最初的时间中获得最佳化;及在该第二晶圆至阴极的间距下,在该最初的时间之后用该旋转磁控管将额外的原子从该阴极中驱射出用以沉积该涂层于该晶圆上,该第二晶圆至阴极的间距可让该溅镀沉积均匀性在一第二时间中获得最佳化。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中在中心区及在外环形区发生之原子驱射率高于在基础区的原子驱射率。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该阴极用1.3%之最大的薄膜电阻均匀度来涂布该基材且在使用A式磁铁下具有至少1000kwh的寿命。图式简单说明:第1A图为一含有圆碟形中心区之溅镀标靶的顶视图。第1B图为沿着第1A图的线1-1所取之该溅镀标靶的剖面图。第2A图为一含有环形中心区之溅镀标靶的顶视图。第2B图为沿着第2A图的线2-2所取之该溅镀标靶的剖面图。第3图为一示意图其显示用来测量晶圆膜层厚度的位置。第4图显示用该中心区设计所达成之改良的均匀性。 |
