| 主权项 |
1.一种电浆蚀刻气体,该气体至少包括:一氟烷气体,该氟烷气体系选自CF4.C2F6.C3F8.C4F8.CH3F、CHF3与CH2F2所组之族群;以及一氮气,其中该电浆蚀刻气体系适用于对一矽层进行蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻气体,其中该氮气之流量为1sccm至50sccm。3.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻气体,其中该气体更包括氩气。4.如申请专利范围第3项所述之电浆蚀刻气体,其中氩气之流量为50sccm至150sccm。5.一种电浆蚀刻气体,该气体至少包括:一部分取代氟烷气体,该部分取代氟烷气体系选自CH3F、CHF3与CH2F2所组之族群;一全取代氟烷气体,该全取代氟烷气体系选自CF4.C2F6.C3F8与C4F8所组之族群;以及一氮气,其中该电浆蚀刻气体系适用于对一矽层进行蚀刻。6.如申请专利范围第5项所述之电浆蚀刻气体,其中氮气之流量为1sccm至50sccm。7.如申请专利范围第5项所述之电浆蚀刻气体,其中该部分取代氟烷气体包括三氟甲烷,该全取代氟烷气体包括四氟甲烷。8.如申请专利范围第7项所述之电浆蚀刻气体,其中三氟甲烷与四氟甲烷之比例为3/1至15/1。9.如申请专利范围第8项所述之电浆蚀刻气体,其中氮气之流量为1sccm至50sccm。10.如申请专利范围第7项所述之电浆蚀刻气体,其中该气体更包括氩气。11.如申请专利范围第10项所述之电浆蚀刻气体,其中氩气之流量为50sccm至150sccm。12.如申请专利范围第5项所述之电浆蚀刻气体,其中该部分取代氟烷气体与该全取代氟烷气体之比例为3/1至15/1。13.如申请专利范围第5项所述之电浆蚀刻气体,其中该气体更包括一氩气。14.如申请专利范围第13项所述之电浆蚀刻气体,其中氩气之流量为50sccm至150sccm。15.一种蚀刻矽层的方法,包括:提供一矽层;提供一电浆蚀刻气体,该电浆蚀刻气体包括一氟烷气体与一氮气,该氟烷气体系选自CF4.C2F6.C3F8.C4F8.CH3F、CHF3与CH2F2所组之族群;以及以该电浆蚀刻气体对该矽层进行蚀刻。16.如申请专利范围第15项所述之蚀刻矽层的方法,其中该氮气之流量为1sccm至50sccm。17.如申请专利范围第15项所述之蚀刻矽层的方法,其中该蚀刻气体更包括氩气。18.如申请专利范围第17项所述之蚀刻矽层的方法,其中氩气之流量为50sccm至150sccm。19.一种蚀刻矽层的方法,包括:提供一矽层;提供一电浆蚀刻气体,该电浆蚀刻气体包括一部分取代氟烷气体,一全取代氟烷气体与一氮气,该部分取代氟烷气体系选自CH3F、CHF3与CH2F2所组之族群,该全取代氟烷气体系选自CF4.C2F6.C3F8与C4F8所组之族群;以及以该电浆蚀刻气体对该矽层进行蚀刻。20.如申请专利范围第19项所述之蚀刻矽层的方法,其中该氮气之流量为1sccm至50sccm。21.如申请专利范围第19项所述之蚀刻矽层的方法,其中该部分取代氟烷气体包括三氟甲烷,该全取代氟烷气体包括四氟甲烷。22.如申请专利范围第19项所述之蚀刻矽层的方法,其中三氟甲烷与四氟甲烷之比例为3/1至15/1。23.如申请专利范围第19项所述之蚀刻矽层的方法,其中该氮气之流量为1sccm至50sccm。24.如申请专利范围第19项所述之蚀刻矽层的方法,其中该电浆蚀刻气体更包括氩气。25.如申请专利范围第24项所述之蚀刻矽层的方法,其中该氩气之流量为50sccm至150sccm。26.如申请专利范围第19项所述之蚀刻矽层的方法,其中该部分取代氟烷气体与该全取代氟烷气体之比例为3/1至15/1。图式简单说明:第1A图至第1C图为揭示本发明实施例之制造流程示意图。 |
