| 主权项 |
1.一种磁铁,具有面对一线圈之一表面,其中电流流经该线圈,并产生一磁通量,其在面对该线圈之该表面的法线方向上,向着该线圈发射,该磁铁包括一凹槽,形成于该磁铁该表面的中心。2.如申请专利范围第1项所述之磁铁,其中该凹槽系沿着该磁铁之该表面的一个方向上延伸。3.如申请专利范围第1项所述之磁铁,其中该凹槽系沿着该磁铁之该表面的第一及第二方向上延伸,而该第一及第二方向彼正交。4.如申请专利范围第1项所述之磁铁,其中该凹槽具有一半圆柱形。5.如申请专利范围第1项所述之磁铁,其中该凹槽具有一半球状。6.一种磁铁,具有一表面面对一线圈,其中一电流流过该线圈,该磁铁包括一突起在其中心形成,其中该磁铁之该中心的磁通量系在相对该磁铁之该表面法向的一倾斜方向上产生。7.如申请专利范围第6项所述之磁铁,其中该突起系沿着该磁铁之该表面的一个方向上延伸。8.如申请专利范围第6项所述之磁铁,其中该突起系沿着该磁铁之该表面的第一及第二方向上延伸,而该第一及第二方向彼正交。9.如申请专利范围第6项所述之磁铁,其中该突起具有一半圆柱形。10.如申请专利范围第6项所述之磁铁,其中该突起具有一半球状。11.一种光学读取头致动器,包括:一绕线管,其中安装有一线圈,而电流流过该线圈;一磁铁,具有一表面面对该线圈并产生磁通量,在该磁铁该表面之法线方向上面对该线圈发射;以及一基底,其上装置有一磁轭用以固定该磁铁;其中该磁铁该表面中心形成有一凹槽。12.如申请专利范围第11项所述之光学读取头致动器,其中该凹槽系沿着该磁铁之该表面的一个方向上延伸。13.如申请专利范围第11项所述之光学读取头致动器,其中该凹槽系沿着该磁铁之该表面的第一及第二方向上延伸,而该第一及第二方向彼正交。14.如申请专利范围第11项所述之光学读取头致动器,其中该凹槽具有一半圆柱形。15.如申请专利范围第11项所述之光学读取头致动器,其中该凹槽具有一半球状。其中在该紧密黏着管上形成一阶梯部分以安装置该转换器。16.一种光学读取头致动器,包括:一绕线管,其中安装有一线圈,而电流流过该线圈;一磁铁,具有一表面面对该线圈并产生磁通量,在该磁铁该表面之法线方向上面对该线圈发射;以及一基底,其上装置有一磁轭用以固定该磁铁;其中该磁铁该表面中心形成有一突起。17.如申请专利范围第16项所述之光学读取头致动器,其中该突起系沿着该磁铁之该表面的一个方向上延伸。18.如申请专利范围第16项所述之光学读取头致动器,其中该突起系沿着该磁铁之该表面的第一及第二方向上延伸,而该第一及第二方向彼正交。19.如申请专利范围第16项所述之光学读取头致动器,其中该突起具有一半圆柱形。20.如申请专利范围第16项所述之光学读取头致动器,其中该突起具有一半球状。图式简单说明:第1图系一爆炸透视图,其绘示一种传统不对称光学读取头致动器;第2图显示一般磁铁的磁通量分布;第3图系绘示传统不对称光学读取头致动器操操作中聚焦方向的推力;第4图系绘示传统不对称光学读取头致动器操操作中循轨方向的推力;第5图系基于本发明之第一实施例中,一磁铁的透视图;第6图系基于本发明之第二实施例中,一磁铁的透视图;第7图系基于本发明之第三实施例中,一磁铁的透视图;第8图系基于本发明之第三实施例中,一磁铁的剖面图;第9图系基于本发明之第四实施例中,一磁铁的透视图;第10图系基于本发明之第四实施例中,一磁铁的剖面图;第11图系基于本发明之第一实施例中,一光学读取头致动器之爆炸透视图;以及第12图系基于本发明之第二实施例中,一光学读取头致动器之爆炸透视图。 |
