| 主权项 |
1.一种利用磁场微调已封装晶片之调整装置,将已封装完成之一晶片调整至最佳状态,包括:一霍尔极板,感应磁场变化以产生相对应之一电位信号;一侦测放大装置,连接该霍尔极板之输出端,接收该电位信号并放大该电位信号;一解码装置,连接该侦测放大装置之输出端,接收由该侦测放大装置所放大之该电位信号,并将放大后之该电位信号转换成相对应之一解码信号;以及一可程式化调整装置,具有复数个可程式化装置,该可程式化调整装置连接该解码装置以接收该解码信号,并依据该解码信号程式化该些可程式化装置。2.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一金属保险丝。3.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一多晶保险丝。4.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一快速推动二极体。5.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一可电性程式化唯读记忆体。6.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一可电性抹除且可程式化唯读记忆体。7.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一非晶矽基底反保险丝。8.如申请专利范围第1项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整装置,其中该可程式化装置系为一氧化矽/氮化矽/氧化矽基底反保险丝。9.一种利用磁场微调已封装晶片之调整方法,将已封装完成之一晶片调整至最佳状态,包括以下步骤:测量该晶片,并依据测量该晶片之结果产生一磁场信号;将该磁场信号于该晶片内部转化成相对应之一电位信号;依据该电位信号,将该电位信号转换成相对应之一解码信号;以及依据该解码信号,对该晶片进行一微调模式。10.一种利用磁场微调已封装晶片之调整系统,将已封装完成之一晶片调整至最佳状态,包括:一测试机台,测量该晶片,并依据测量该晶片之结果,输出一测试信号;一磁场产生器,接收该测试信号,依据该测试信号产生一磁场;以及该晶片,包括:一霍尔极板,感应该磁场变化以产生相对应之一电位信号;一侦测放大装置,连接该霍尔极板之输出端,接收该电位信号并放大该电位信号;一解码装置,连接该侦测放大装置之输出端,接收由该侦测放大装置所放大之该电位信号,并将放大后之该电位信号转换成相对应之一解码信号;以及一可程式化调整装置,具有复数个可程式化装置,该可程式化调整装置连接该解码装置以接收该解码信号,并依据该解码信号程式化该些可程式化装置。11.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一金属保险丝。12.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一多晶保险丝。13.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一快速推动二极体。14.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一可电性程式化唯读记忆体。15.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一可电性抹除且可程式化唯读记忆体。16.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一非晶矽基底反保险丝。17.如申请专利范围第10项所述之利用磁场微调已封装晶片之调整系统,其中该可程式化装置系为一氧化矽/氮化矽/氧化矽基底反保险丝。图式简单说明:第1图绘示习知之调整装置;第2A图绘示较佳实施例之利用磁场来微调之调整装置;第2B图绘示较佳实施例之利用磁场来微调之调整装置之解码装置及可程式化调整装置;第2C图绘示较佳实施例之利用磁场来微调之调整装置之解码装置及可程式化调整装置;第3图绘示较佳实施例之利用磁场来微调之调整系统;以及第4图绘示较佳实施例之利用磁场来微调之调整方法之流程图。 |
