| 主权项 |
1.一种去除剂组成物,其包括: (a)100重量分之组成物,其系藉添加一环化合物至 水、水溶性有机溶剂、或水和水溶性有机溶剂之 混合物中而得到,其中环化合物浓度是1至30wt%, 其中环化合物由以下通式(I)所示 其中R1和R2独立示可被取代之烷基、氢原子、羟基 、或羧基、Z示氧原子或硫原子, (b)0.1至150重量分之有机胺,及 (c)0.001至100重量分之胺与酸之盐。2.如申请专利范 围第1项之去除剂组成物,其中有机胺由烷醇胺和 烷基铵氢氧化物组成之群中选择。3.如申请专利 范围第1项之去除剂组成物,其中胺由烷醇胺、烷 基铵氢氧化物及羟基胺组成之群中选择,且酸由氢 氯酸、硫酸、硝酸及羧酸组成之群中选择。4.如 申请专利范围第1项之去除剂组成物,其进一步包 括添加剂。5.如申请专利范围第4项之去除剂组成 物,其中添加剂由芳族羟基化合物和三唑化合物组 成之群中选择。6.一种用如申请专利范围第1项之 去除剂组成物去除光阻的方法。7.一种用以去除 在半导体处理中产生之半导体元件之残留物的方 法,系使用如申请专利范围第1项之去除剂组成物 。8.如申请专利范围第7项之方法,其中半导体处理 是乾蚀刻处理。9.一种去除剂组成物,其包括: (a)100重量分之组成物,其含有环化合物于水、水 溶性有机溶剂、或水和水溶性有机溶剂之混合物 中,其中环化合物之浓度是1至30wt%, 其中环化合物是以下通式(I)所示: 其中R1和R2各自独立示可被取代之烷基、氢原子、 羟基、或羧基、Z示氧原子或硫原子, (b)0.1至150重量分之有机胺,及 (c)0.001至100重量分胺与酸之盐。10.如申请专利范 围第9项之去除剂组成物,其中有机胺由烷醇胺及 烷基铵氢氧化物组成之群中选择。11.如申请专利 范围第9项之去除剂组成物,其中胺由烷醇胺、烷 基铵氢氧化物和羟基胺组成之群中选择,且酸由氢 氯酸、硫酸、硝酸和羧酸组成之群中选择。12.如 申请专利范围第9项之去除剂组成物,其进一步包 括添加剂。13.如申请专利范围第12项之去除剂组 成物,其中添加剂由芳族羟基化合物和三唑化合物 组成之群中选择。14.一种用如申请专利范围第9项 之去除剂组成物去除光阻的方法。15.一种去除在 半导体处理中产生之半导体元件的残留物的方法, 系用如申请专利范围第9项之去除剂组成物。16.如 申请专利范围第15项之方法,其中半导体处理是乾 蚀刻处理。 |
