| 主权项 |
1.一种电致发光装置,依序包括(i)第一电极,(ii)胺 基取代的芳族化合物之未经取代或经取代聚合物 的层,当作电洞传输及/或电洞注入层,其中该胺基 取代的芳族化合物之聚合物系为以下通式 其中R"系在邻位或间位且系氢、C1-18烷基、C1-6烷 氧基、胺基、氯、溴、羟基或以下基 其中R"系烷基或芳基,而R"'系氢、C1-6烷基或芳基, 与至少一个以上式I之其它单体,或具有下式之共 聚物 其中R系氢、C1-18烷基、C1-6烷氧基、胺基、氯、溴 、羟基,p系1至20,n系1至50,X系阴离子,(iii)一由电致 发光材料所构成的层,及(iv)第二电极。2.如申请专 利范围第1项之电致发光装置,其中共聚物的重量 平均分子量系属30,000的等级。3.如申请专利范围 第1项之电致发光装置,其中p系4。4.如申请专利范 围第1项之电致发光装置,其中胺基取代的芳族化 合物之未经取代或经取代聚合物被去质子化。5. 如申请专利范围第4项之电致发光装置,其中胺基 取代的芳族化合物之未经取代或经取代聚合物为 可蒸发去质子化聚合物。6.如申请专利范围第4项 之电致发光装置,其中经取代的芳族化合物之聚合 物具有下式 其中n为1到50。7.如申请专利范围第1项之电致发光 装置,其中X系选自于Cl、Br、SO4.BF4.PF6.H2PO3.H2PO4.芳 基磺酸根、芳烃二羧酸根、聚苯乙烯磺酸根、聚 丙烯酸酯烷基磺酸根、乙烯苯磺酸根、纤维素磺 酸根、纤维素硫酸根或全氟化聚阴离子。8.如申 请专利范围第1项之电致发光装置,其中共聚物系 苯胺与邻茴香胺、间胺苯磺酸或邻胺基酚之共聚 物,或邻甲苯胺与邻胺基酚、邻乙基苯胺或邻伸苯 二胺之共聚物。9.如申请专利范围第1项之电致发 光装置,其中胺基取代的芳族化合物之聚合物系一 种选自于取代或未经取代的聚胺基、聚胺基 、聚胺基菲之聚合物。10.如申请专利范围第1至9 项中任一项之电致发光装置,其中第一电极系一种 透明导电玻璃或塑胶材料、导电性聚合物或经导 电性聚合物涂覆的玻璃或塑胶材料。11.如申请专 利范围第1至9项中任一项之电致发光装置,其中电 致发光材料系下式的有机金属错合物 其中L和Lp系有机配位体,M系稀土元素、过渡金 属、镧系元素或锕系元素,且n系金属M的价态,而配 位体L系相同或不同。12.如申请专利范围第11项 之电致发光装置,其中有数个相同或不同的配位体 Lp。13.如申请专利范围第1至9项中任一项之电致发 光装置,其中电致发光材料系式(Ln)nM1M2及(Ln)nM1M2(Lp )的有机金属错合物,Ln系L,Lp系中性配位体,M1系 稀土元素、过渡金属、镧系元素或锕系元素,M2系 非稀土金属,而n系M1和M2的组合价态。14.如申请专 利范围第1至9项中任一项之电致发光装置,其中电 致发光材料系下式的二核、三核及多核有机金属 错合物 (Lm)xM1←M2(Ln)y,或 其中L系桥连配位体,M1系稀土金属,而M2为M1或非稀 土金属,Lm和Ln为相同或不同的如上定义的有机配 位体L,x系M1的价态,y系M2的价态,或 (Lm)xM1-M3(Ln)y-M2(Lp)z 或 其中M1.M2和M3系相同或不同的稀土金属,而Lm、Ln和 Lp系有机配位体L,x系M1的价态,y系M2的价态,z系M3 的价态,Lp可相同或不同于Lm和Ln,或 或 或 M1-M2-M3-M4 或 M1-M2-M4-M3 或 或 其中M4系M1,L系桥连配位体,且其中稀土金属和非稀 土金属可经由金属对金属之键结及/或经由中间的 桥连原子、配位体或分子团而连接在一起,或其中 有超过三个金属被金属对金属之键结及/或经由中 间的配位体所连接。15.如申请专利范围第11项之 电致发光装置,其中L具有下列通式 其中R1.R2和R3可为相同或不同且系选自于氢,及经 取代和未经取代的烃基,如经取代和未经取代的脂 族基,经取代和未经取代的芳族、杂环和多环结构 ,氟碳化物,如三氟(trifluoryl)甲基,卤素,如氟,或硫 苯基;R1.R2和R3亦可形成经取代或未经取代的稠合 芳族、杂环和多环结构,且可与单体如苯乙烯共聚 合;X系Se、S或O,Y可为氢、经取代或未经取代的烃 基,如经取代和未经取代的芳族、杂环和多环结构 ,氟,氟碳化物,如三氟甲基,卤素,如氟或硫苯基或 。16.如申请专利范围第11项之电致发光装置,其 中Lp具有下列通式 其中各Ph可为相同或不同且可为苯基(OPNP)或经取 代的苯基、其它经取代或未经取代的芳基、经取 代或未经取代的杂环或多环基、经取代或未经取 代的稠合芳基,如基、、菲或芘基。17.如申请 专利范围第11项之电致发光装置,其中该稀土元素 、过渡金属、镧系元素或锕系元素系选自于Sm(III) 、Eu(II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd (III)、Gd(III)、U(III)、Tm(III)、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III) 、Pm(III)、Dy(lII)、Ho(III)、Er(III)及Yb(III)。18.如申 请专利范围第1项之电致发光装置,其中在阴极和 电致发光材料层之间有一电子注入材料层。19.如 申请专利范围第11项之电致发光装置,其中在阴极 和电致发光材料层之间有一电子注入材料层。20. 如申请专利范围第18项之电致发光装置,其中电子 注入材料系选自于金属酸盐、氰基、9,10-二 氰基、聚苯乙烯磺酸盐、酸铝及酸锂。21. 如申请专利范围第1项之电致发光装置,其中第二 电极系铝、钙、锂或银/镁合金。22.如申请专利范 围第11项之电致发光装置,其中第二电极系铝、钙 、锂或银/镁合金。图式简单说明: 第1.2a及2b图给予基Lp的例子; 第3图显示红菲的例子; 第4a到4l图显示Lp螯合物的例子; 第5a到5f图显示芴和芴衍生物例子; 第6a到6e、7a到7f及8a到8h图显示如所示的式之化合 物; 第9图显示多胺的式子; 第10图显示电子注入材料之例子; 第11.12a到12d、13a到13c、14a到14d图显示电洞传输材 料的结构式; 第15图显示发光量相对于电压的绘图; 第16图显示发光量相对于电流密度的绘图; 第17图显示电流密度相对于电压的绘图; 第18图显示电流效率相对于电流密度的绘图; 第19图显示发光量相对于电压的绘图; 第20图显示发光量相对于电流密度的绘图; 第21图显示电流密度相对于电压的绘图; 第22图显示电流效率相对于电流密度的绘图; 第23图显示发光量相对于电压的绘图; 第24图显示发光量相对于电流密度的绘图; 第25图显示电流密度相对于电压的绘图;及 第26图显示电流效率相对于电流密度的绘图。 |
