| 主权项 |
1.一种萤光发光物质,其特征为以一般式(1)表示, A-Ar-B............................................(1) (但,Ar为一般式(2a)及(2b)所示之芳香族基,A为电子 供与基,B为电子吸引基); 前述电子供与基A为烷胺基、胺基、胺芳基、烷胺 芳基、烷氧基、烷氧芳基、芳烷氧基、烷基、芳 基及卤化烷基,前述烷胺基、烷胺芳基、烷氧基、 烷氧芳基中之烷氧基、芳烷氧基中之烷氧基、烷 基、卤化烷基分别为碳数1~20个,前述烷胺基为包 含单烷胺基及二烷胺基,前述烷胺芳基为包含单烷 胺芳基及二烷胺芳基; 前述电子吸引基B为一般式(3a)或(3b)所示之电子吸 引性乙烯基; (但,Z1为氰基或酯基,Z2为氢原子、氰基、卤原子、 卤化烷基、羧基或烷羰基,Z3为卤原子、卤化烷基 、羧基、烷羰基及一般式(4)、(5)、(6)、或(7)所组 成之群组中所选出之取代基;) (但,Y1为氰基、酯基、卤原子或卤化烷基,上述卤 原子为氟或溴,上述卤化烷基为三氟甲基; n为1~5,表示苯基之氢原子被Y1基取代之个数; Y2及Y3分别为氰基、酯基、卤原子或卤化烷基,上 述卤原子为氟或溴,上述卤化烷基为三氟甲基; m为1~3,表示键结于乙烯基之基的环状部分之氢 原子被Y2基取代之个数; h为1~4,表示基的另一环状部分之氢原子被Y3基取 代之个数; Y4.Y5.Y6分别为氰基、酯基、卤原子或卤化烷基,上 述卤原子为氟或溴,上述卤化烷基为三氟甲基; t为1~3,表示取代一般式(3a)或(3b)氢原子之基的环 之氢原子被Y4基取代之个数; s为1~2,表示基的中间环之氢原子被Y5基取代之个 数; u为1或2,表示基最后一个环之氢原子被Y6基取代 之个数)。2.如申请专利范围第1项之萤光发光物质 ,其中,前述电子供与基A为碳数1~20个之烷氧基。3. 如申请专利范围第1项之萤光发光物质,其中,前述 电子供与基A为碳数1~10个之烷氧基。4.如申请专利 范围第1项之萤光发光物质,其中,前述电子供与基A 为碳数1~8个之烷氧基。5.如申请专利范围第1项之 萤光发光物质,其中,前述申请专利范围第1项中,前 述酯基为以-COOR(但,R为碳数1~7个之烷基、或苯基) 表示。图式简单说明: 图1为6-甲氧基-2-(二氰乙烯基)之IR图。 图2为示出6-甲氧基-2-(二氰乙烯基)之发光特性 图。 图3为6-甲氧基-2-(三氰乙烯基)之IR图。 图4为示出6-甲氧基-2-(三氰乙烯基)之发光特性 图。 图5为6-甲氧基-2-(2-氰基-2-乙氧羰乙烯基)之IR图 。 图6为示出6-甲氧基-2-(2-氰基-2-乙氧羰乙烯基)之 发光特性图。 图7为6-甲氧基-2-(1,2-二氰基-2-乙氧羰乙烯基)之 IR图。 图8为实施例5所得之萤光发光化合物之NMR流程图 。 图9为实施例6所得之萤光发光化合物之NMR流程图 。 图10为实施例7所得之萤光发光化合物之NMR流程图 。 |
