| 主权项 |
1.一种高分子萤光物质,其于固态发射萤光,具有11 03至1107之以聚苯乙烯计之数目平均分子量,及下 述一般式(1)之一种或复数种重复单元,且以卡耳费 雪法所测得之水含量为1000ppm(重量)至近于0ppm: -Ar1-(CR1=CR2)k- (1), 式中,Ar1其分别与邻近两个基团形成碳-碳键之二 价基,此二价基为参与共轭之具有6至60个碳原子之 芳撑基或参与共轭之具有4至60个碳原子之杂环化 合物基,且芳撑基与杂环化合物基可进一步具有取 代基;R1及R2各自表示选自由氢原子,具有1至20个碳 原子之直链、支链或环状烷基,具有6至60个碳原子 之芳基,具有4至60个碳原子之杂环化合物基及氰基 所组成组群之基团,且芳基与杂环化合物基可进一 步具有取代基;及符号k为0或1。2.如申请专利范围 第1项之高分子萤光物质,其中水含量为不超过500 ppm(重量)。3.一种高分子萤光物质溶液,含有0.1至5 重量%高分子萤光物质,此高分子萤光物质于固态 发射萤光,具有1103至1107之以聚苯乙烯计之数目 平均分子量,并具有上述申请专利范围第1项中之 一般式(1)所示之一种或复数种重复单元,且溶液的 水含量为1000ppm(重量)至近于0ppm。4.如申请专利范 围第3项之高分子萤光物质溶液,系藉由使高分子 萤光物质溶于具有1000ppm(重量)至近于0ppm之水含量 的溶剂中所制得者。5.一种高分子萤光物质,其于 固态发射萤光,具有1103至1107之以聚苯乙烯计之 数目平均分子量,具有下述一般式(1)之一种或复数 种重复单元,且由气体层析法所测得之不良溶剂的 含量为6至10000ppm(重量): -Ar1-(CR1=CR2)k- (1), 式中,Ar1为分别与邻近两个基团形成碳-碳键之二 价基,此二价基为参与共轭之具有6至60个碳原子之 芳撑基或参与共轭之具有4至60个碳原子之杂环化 合物基,且芳撑基与杂环化合物基可进一步具有取 代基;R1及R2各自表示选自由氢原子,具有1至20个碳 原子之直链、支链或环状烷基,具有6至60个碳原子 之芳基,具有4至60个碳原子之杂环化合物基及氰基 所组成组群之基团,且芳基与杂环化合物基可进一 步具有取代基;及符号k为0或1。6.如申请专利范围 第5项之高分子萤光物质,其中不良溶剂的含量为0 至500ppm(重量)。7.如申请专利范围第5或6项之高分 子萤光物质,其中不良溶剂为醇。8.如申请专利范 围第7项之高分子萤光物质,其中该醇系选自由甲 醇、乙醇,及2-丙醇所组成之组群着。9.一种高分 子萤光物质溶液,其中高分子萤光物质以0.1至5重 量%之浓度于有机溶剂中;该高分子萤光物质于固 态放射萤光,具有1103至1107之以聚苯乙烯计之数 目平均分子量,具有申请专利范围第1项中之一般 式(1)所示之一种或复数种重复单元,且由气体层析 法所测得之不良溶剂的含量为6至10000ppm(重量)。10 .如申请专利范围第9项之高分子萤光物质溶液,其 中该有机溶剂系选自由氯仿、二氯甲烷、二氯乙 烷、四氢喃、甲苯、二甲苯、均三甲苯、十氢 、正-丁基苯及四甲基苯所组成之组群者。11.一 种高分子发光装置之制造方法,该高分子发光装置 包括放置在一者或两者皆为透明或半透明之一对 阳极与阴极间之含有高分子萤光物质之一个或复 数个发光层,此发光层含有高分子萤光物质,其中 该方法含有使用申请专利范围第1或5项之高分子 萤光物质的溶液形成发光层的步骤。12.一种高分 子发光装置之制造方法,该高分子发光装置包括放 置在一者或两者皆为透明或半透明之一对阳极与 阴极间之含有高分子萤光物质之一个或复数个发 光层,其中该方法含有使用申请专利范围第3或9项 之高分子萤光物质溶液形成发光层的步骤。13.一 种高分子发光装置,包括放置在一者或两者皆为透 明或半透明之一对阳极与阴极间之含有高分子萤 光物质之一个或复数个发光层,其中该发光层系使 用如申请专利范围第1或5项之高分子萤光物质的 溶液制造而成。14.一种高分子发光装置,包括放置 在一者或两者皆为透明或半透明之一对阳极与阴 极间之含有高分子萤光物质之一个或复数个发光 层,其中该发光层系使用如申请专利范围第3或9项 之高分子萤光物质溶液所制得者。15.如申请专利 范围第13项之高分子发光装置,其中于邻近于发光 层,在阴极与该发光层间形成包括电子传送化合物 之层。16.如申请专利范围第14项之高分子发光装 置,其中,于邻近于发光层,在阴极与该发光层间形 成包括电子传送化合物之层。17.如申请专利范围 第13项之高分子发光装置,其中于邻近于发光层,在 阳极与该发光层间形成包括电洞传送化合物之层 。18.如申请专利范围第14项之高分子发光装置,其 中于邻近于发光层,在阳极与该发光层间形成包括 电洞传送化合物之层。19.如申请专利范围第13项 之高分子发光装置,其中于邻近于发光层,在阳极 与该发光层间形成包括电洞传送化合物之层,且于 邻近于发光层,在阴极与该发光层间形成包括电子 传送化合物之层。20.如申请专利范围第14项之高 分子发光装置,其中于邻近于发光层,在阳极与该 发光层间形成包括电洞传送化合物之层,且于邻近 于发光层,在阴极与该发光层间形成包括电子传送 化合物之层。21.一种高分子发光装置,包括放置在 一者或两者皆为透明或半透明之一对阳极与阴极 间之含有高分子萤光物质之一个或复数个发光层, 其中该发光层实质上不含具有超过1m之直径的 颗粒状外来物质。22.如申请专利范围第21项之高 分子发光装置,其中,该高分子萤光物质可溶于有 机溶剂中。23.如申请专利范围第21或22项之高分子 发光装置,其中,该高分子萤光物质于固态发射萤 光,具有1103至1107之以聚苯乙烯计之数目平均分 子量,且具有申请专利范围第1项中之一般式(1)所 示之一种或复数种重复单元。24.一种高分子发光 装置之制造方法,该高分子发光装置包括含有高分 子萤光物质之一个或复数个发光层,该发光层系放 置在一者或两者皆为透明或半透明之一对阳极与 阴极间,其中,该方法包括下述形成发光层的步骤: 藉由经由具有1m或更小孔隙直径之过滤器过滤 高分子萤光物质溶液而制备涂覆材料;以及 使用该高分子萤光物质溶液形成发光层。25.如申 请专利范围第24项之高分子发光装置之制造方法, 其中,制备涂覆材料的步骤包含自经由具有1m或 更小孔隙直径之过滤器过滤之高分子萤光物质溶 液除去高分子萤光物质固体的步骤。26.如申请专 利范围第24或25项之高分子发光装置之制造方法, 其中,该方法包括在制备涂覆材料与藉由涂覆此材 料形成发光层的步骤间贮存及/或输送涂覆材料的 步骤。27.如申请专利范围第24或25项之高分子发光 装置之制造方法,其中,该涂覆材料为溶液。28.一 种由申请专利范围第24或25项之方法所制造之高分 子发光装置。29.一种使用如申请专利范围第15.16. 17.18.19.20或21项之高分子发光装置之板状光源。30. 一种使用如申请专利范围第15.16.17.18.19.20或21项之 高分子发光装置之分段显示装置。31.一种使用如 申请专利范围第15.16.17.18.19.20或21项之高分子发光 装置之点阵列显示装置。32.一种使用如申请专利 范围第15.16.17.18.19.20或21项之高分子发光装置作为 背光之液晶显示装置。 |
