浅沟渠隔离区的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟渠隔离区的制造方法，此方法包括下述步骤：首先在一基底上形成一硬罩幕层；接着对硬罩幕层的一个表面进行一离子轰击步骤，之后再于硬罩幕层的表面上形成一图案化的光阻层。继之，以光阻层为一蚀刻罩幕图案化硬罩幕层。然后，再进行一蚀刻制作过程以于基底中形成一沟渠。之后，将光阻层移除，再于沟渠中填入一绝缘层。继之，再将硬罩幕层移除即形成一浅沟渠隔离区。本方法制造的浅沟渠隔离区中不会形成岛状缺陷，其隔离区能够发挥有效作用，从而避免了元件产生漏电流。

主权项

1、一种浅沟渠隔离区的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在一基底上形成一硬罩幕层；对该硬罩幕层的一个表面进行一离子轰击步骤；在该硬罩幕层的该表面上形成一图案化的光阻层；以该光阻层为一蚀刻罩幕图案化该硬罩幕层；进行一个蚀刻制作过程以在该基底中形成一沟渠；移除该光阻层；在该沟渠中填入一绝缘层；移除该硬罩幕层以形成一浅沟渠隔离区。