制造半导体装置的方法

摘要

本发明揭露一种制造半导体装置的方法，其中一圆柱形电容器藉由选择性蚀刻在一单元(cell)区域中的氧化物薄膜而形成，以防止在单元区域中的氧化物薄膜的湿蚀刻处理期间于单元之间形成桥接。藉由以光致抗蚀剂薄膜覆盖该周边电路区域且选择性蚀刻单元区域中的氧化物薄膜而构成一圆柱形电容器，因此形成在单元区域中的层间绝缘薄膜与形成在周边电路区域中的层间绝缘薄膜之间的阶差(step difference)便可减小，藉此可简化制造程序。此外，藉由利用一单一湿蚀刻工站来进行一简单的湿蚀刻处理，便可防止在单元之间的桥接，而不需要进行一独立分开的干蚀刻处理来清除氧化物薄膜及光致抗蚀剂薄膜图案，藉此便可提升装置的成品率。

主权项

1、一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下的步骤：(a)在一半导体衬底的整个表面上形成一供作为一存储电极的氧化物薄膜，其中该半导体衬底包括一单元区域及一周边电路区域；(b)蚀刻该位于单元区域中的供作为存储电极的氧化物薄膜以界定一存储电极区域；(c)在存储电极区域中形成一存储电极；(d)在位于该周边电路区域中的供作为存储电极的氧化物薄膜上形成一光致抗蚀剂薄膜图案；(e)利用光致抗蚀剂薄膜图案作为一掩模而藉由一湿蚀刻处理来移除该位于单元区域中供作为存储电极的氧化物薄膜，并且移除该光致抗蚀剂薄膜图案；(f)在所形成结构的整个表面上依次形成一介电薄膜及一板电极；以及(g)在所形成结构的整个表面上形成一层间绝缘薄膜。