高速/高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

一种可抑制伴随元件的微小化而产生的短沟道效应的高速/高性能金属氧化物晶体管及其制造方法，该金属氧化物晶体管包括半导体衬底、栅绝缘膜、栅电极、氧化膜、第一隔离区、第二隔离区、第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、以及第四掺杂层。

主权项

1.一种高速/高性能金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：包含第一导电类型掺杂物的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成的栅电极；通过所述栅电极的表面氧化而形成的氧化膜；在所述栅电极的侧壁形成的第一隔离区；在所述第一隔离区的倾斜侧壁形成的第二隔离区；第一掺杂层，是向所述半导体衬底的表面附近倾斜注入第二导电类型掺杂物、以使其自己排列在所述栅电极的边缘而形成的，第一深度和并具有低浓度；第二掺杂层，是向所述半导体衬底的表面附近倾斜注入第二导电类型掺杂物、以使其自己排列在所述第一隔离区的边缘而形成的，并具有比所述第一深度更深的第二深度和中间浓度；第三掺杂层，是向所述半导体衬底的表面附近倾斜注入第一导电类型掺杂物、以使其自己排列在所述第一隔离区的边缘而形成的，并具有围绕以中间浓度形成的所述第二掺杂层的第三深度和比所述半导体衬底的掺杂物浓度更高的掺杂物浓度；第四掺杂层，是向所述半导体衬底的表面附近注入第二导电类型掺杂物、以使其自己排列在所述第二隔离区的边缘而形成的，并具有比所述第三深度更深的第四深度和高浓度。