| 发明名称 |
DOUBLE DIFFUSED FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING REDUCED ON-RESISTANCE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1382071(A1) |
申请公布日期 |
2004.01.21 |
| 申请号 |
EP20020725313 |
申请日期 |
2002.03.21 |
| 申请人 |
GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. |
发明人 |
BLANCHARD, RICHARD, A. |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
