半导体器件

摘要

在利用SOI·CMOS技术的半导体器件中，基本元件按行以PMOS，PMOS，NMOS和NMOS或NMOS，NMOS，PMOS和PMOS的顺序设置，以直接靠近的方式形成其上PMOS和NMOS靠近的扩散层部分。此外，以相邻元件保持共用的方式绕该基本元件设置电源引线和接地引线，在基本元件中，MOS晶体管的行方向为电源引线和接地引线，在垂直方向也为电源引线和接地引线，设置至少一个PMOS扩散层以便能通过一个接点直接与一电源引线连接，和设置至少一个NMOS扩散层以便能通过一个接点直接与一接地引线连接。

主权项

1.一种半导体器件，形成在具有硅-绝缘膜结构的半导体基片的主表面上并包括构成所述半导体器件内部电路的基本元件，所述基本元件由两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管构成，其特征在于当所述半导体器件的一侧被定义为X-轴方向时，与该侧成直角的一侧被定义为Y-轴方向，且该PMOS和NMOS晶体管的栅极宽度W的方向被定义为Y-轴方向；所述两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管在所述X-轴方向按照第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的第一排列顺序排成一行，或者按照第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管的第二排列顺序排成一行，当为所述第一排列顺序时，以一种直接相邻的方式形成第二PMOS晶体管的一个扩散层和第一NMOS晶体管的一个扩散层以形成一个集成的扩散层区域；当为所述第二排列顺序时，以一种直接相邻的方式形成第四NMOS晶体管的一个扩散层和第三PMOS晶体管的一个扩散层以形成一个集成的扩散层区域。