| 发明名称 | 制作半导体器件和其中所用耐热压敏粘结带的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的制作半导体器件方法包括如下步骤：把多个半导体芯片放置并粘结在金属引线框的各晶粒座上，所述引线框具有其上附着耐热压敏粘结带的外垫片侧缘；在所述引线框的每个终端与半导体芯片上每个电极垫片之间布线连接引线，从一侧将各半导体芯片密封在密封树脂中；把密封体的主体切割成多个分开的半导体器件。本发明中的耐热压敏粘结带包括聚酰亚胺树脂制成的基层和厚度为1－20μm的压敏粘结层，该粘结层由丙烯酸类树脂制成，并且在200℃下具有1.0×10<SUP>5</SUP>Pa的记忆弹性模数。 | ||
| 申请公布号 | CN1469445A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
| 申请号 | CN03142354.X | 申请日期 | 2003.06.10 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 高野均;细川和人;村田秋桐;大岛俊幸 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/50 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王玮 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的方法，包括如下步骤：把多个半导体芯片放置并粘结在金属引线框的各晶粒座上，所述引线框具有其上附着有耐热压敏粘结带的外垫片侧缘；在所述引线框的每个终端与半导体芯片上每个电极垫片之间布线连接引线；把密封体的主体切割成多个分开的半导体器件；把密封体的主体切割成分开的各个半导体器件，其中，所述耐热压敏粘结带包括聚酰亚胺树脂制成的基层和厚度为1-20μm的压敏粘结层，该粘结层由丙烯酸类树脂制成，并且在200℃下具有1.0×105Pa的记忆弹性模数。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||