| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 为可获得具有高结晶度的结晶硅膜，一开始便在玻璃衬底上形成的非晶硅膜上形成优异的氧化膜13。滴加有浓度为10至200ppm(需要调节)的催化剂元素。如镍之类的元素的乙酸盐水溶液。将该状态保持预定时间，然后用旋涂机甩干。在550℃下经4小时使膜晶化。然后，用氟酸处理，除去局部镍化合物。而且，用激光辐照，获得结晶硅膜。在550℃下热处理4小时，获得具有低金属元素浓度和小缺陷密度的结晶硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1135608C | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
| 申请号 | CN95109163.8 | 申请日期 | 1995.07.01 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;福永健司;宫永昭治 |
| 分类号 | H01L21/3215;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/3215 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：给非晶硅中引入包含金属元素的材料以促进结晶；通过加热使上述非晶硅结晶；从结晶的非晶硅除去金属元素；和用光辐照结晶的非晶硅以增力加所述非晶硅的结晶度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||