集成电路阵列结构的制造方法

摘要

本发明揭示一种集成电路阵列结构的制造方法，其运用两道掩膜，先利用具有孔洞阵列图案的第一道掩膜，以不完全曝光剂量进行第一曝光步骤，再利用具有所需的存储码图案的第二道掩膜，以第一曝光步骤所不足的曝光剂量的补偿剂量进行第二曝光步骤，而使得所需开启的孔洞区域上的光刻胶获得足够的曝光剂量，进而可经显影而开启所需孔洞。因此，不但可获得较佳的曝光分辨率以及聚焦深度，降低光学近似效应，且所使用的掩膜的制造也相当简单。

主权项

1.一种集成电路的阵列结构的制造方法，适用于将一阵列布局写入一集成电路的一只读存储器中，其中所述只读存储器至少包括多个存储单元，且所述集成电路的阵列结构的制造方法至少包括：形成一光刻胶层覆盖在所述只读存储器上；提供一第一道掩膜，其中所述第一道掩膜上至少包括多个第一种单元区域以及多个第二种单元区域；利用所述第一道掩膜，并以一部分曝光剂量，对所述光刻胶层进行一第一曝光步骤；提供一第二道掩膜，且所述第二道掩膜上至少包括所述阵列布局，其中所述阵列布局至少包括多个第一种单元区域以及多个第二种单元区域；利用所述第二道掩膜，并以一补充曝光剂量，对所述光刻胶层进行一第二曝光步骤；进行一显影步骤，以移除部分的所述光刻胶层，并暴露出部分的所述存储单元；进行一离子注入步骤，以将离子注入暴露的所述存储单元中；以及移除其余的所述光刻胶层。