| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，本发明的半导体器件的制造方法具有以下工序，形成绝缘膜(107)以便覆盖被图形化的含有贵金属的膜(106)，通过化学机械研磨对上述绝缘膜(107)进行研磨。采用这种方法就不会有裂痕、含有贵金属的膜变形及剥离的发生，在含有贵金属的膜上不残留膜地埋入含有贵金属的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1469440A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
| 申请号 | CN03140742.0 | 申请日期 | 2003.06.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 夏目进也;三河巧;十代勇治 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/304;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑峰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，具有以下步骤：形成绝缘膜以便覆盖被图形化的含有贵金属的膜，通过化学机械研磨对上述绝缘膜进行研磨； | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||