炉侧壁温度控制系统

摘要

提供一种垂直快速热处理(RTP)系统(10)，包括沿纵轴(X)延伸的垂直处理室(20)和置于处理室内且具有支撑表面的可动平台(32)，所述支撑表面上可安放要进行处理的如半导体晶片(W)等一个或多个衬底。温度控制子系统(56，58，60)在垂直处理室内沿纵轴建立连续温度梯度。温度控制子系统包括沿纵轴设置于不同垂直位置的多个室侧壁加热元件(24)。多个加热元件中每一个皆独立于多个加热元件中的其它加热元件受控。多个纵向取向的加热元件提供有效的侧壁加热机构。

主权项

1.一种热处理系统(10)，包括：沿纵轴(X)延伸的垂直处理室(20)；设置于所述处理室内并具有通常水平的支撑表面的可动平台(32)，所述支撑表面基本上垂直于所述纵轴(X)布置，并且其上可以水平安放一个或多个衬底(W)，用来在沿所述轴(X)的垂直位置上进行处理；沿所述纵轴在所述垂直处理室内建立连续无级的温度梯度的温度控制子系统(56，58，60)，所述温度控制子系统包括沿所述纵轴设置于不同垂直位置的多个加热元件(24)，每个所述多个加热元件皆有相关的加热器控制器(16)，用于独立于多个加热元件中其它元件加热其有关的加热元件；监测所述可动平台(32)位置处或附近温度的温度传感器(42)；使所述可动平台垂直移动的运动机构(50)；及位置控制器(40)，用于从所述温度传感器(42)接收反馈信号，并给所述运动机构(50)提供相应的位置信号，调节所述垂直处理室内所述可动平台的垂直位置，以便对所述衬底进行所需的加热。