发明名称 | 变换信号逻辑电平的电平变换电路 | ||
摘要 | 依据本发明的电平变换电路的偏置电位发生电路(20),若输入信号(VI)设于“L”电平,而第一和第二信号(V1、V2)分别设于“H”电平和“L”电平,则把加到下拉用的N沟道MOS晶体管(5)的背栅极上的偏置电位(VB1)设为正电位(VDD-VTHL),将N沟道MOS晶体管(5)的阈值电压降低。因此,即使输入信号(VI)的振幅电压被低压化的场合,也可实现工作速度的高速化。 | ||
申请公布号 | CN1469548A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
申请号 | CN03142474.0 | 申请日期 | 2003.06.10 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 岛田邱洋;野谷宏美 |
分类号 | H03K3/037 | 主分类号 | H03K3/037 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种电平变换电路,它把一方电平为基准电位另一方电平为高于所述基准电位的第一电位的第一信号变换为一方电平为所述基准电位而另一方电平为高于所述第一电位的第二电位的第二信号,并在输出节点上输出;其中设有:连接在所述第二电位线和所述输出节点之间的负载电路;其漏极连接所述输出节点、其源极连接所述基准电位线、其栅极接受所述第一信号的第一N型晶体管;以及设有响应所述第一信号而被设于导通/截止状态的至少一个晶体管的、根据所述第一信号之设于所述第一电位而生成高于所述基准电位的所述第一电位以下的偏置电位并加到所述第一N型晶体管的背栅极上的偏置电位发生电路。 | ||
地址 | 日本东京都 |