| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 功率半导体器件(10)具有包含漂移区(20)的有源区。漂移区(20)至少有部分是由上、下表面(15，17)相对的膜片(16)提供的。在一种实施方式中，膜片(16)的上表面(15)具有直接或间接与之相连的电极，以便在漂移区(20)的横向上施加电压。在另一种实施方式中，至少有一个电极直接或间接与上表面(15)相连，且至少有一个电极直接或间接与下表面(17)相连，以便在漂移区(20)的纵向上施加电压。在每个实施方式中，膜片(16)的下表面(17)都没有与之毗连的半导体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN1470073A | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
| 申请号 | CN01817643.7 | 申请日期 | 2001.09.20 |
| 申请人 | 剑桥半导体有限公司 | 发明人 | 弗罗林·尤德瑞;吉翰·安尼尔·约瑟夫·阿玛拉汤加 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L27/088 | 主分类号 | H01L29/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种含有源区的功率半导体器件，其有源区包含漂移区，至少部分漂移区设在具有相对的上、下表面的膜片内，膜片的上表面有直接或间接与之连接的电极使得能够在漂移区上横向施加电压，膜片的下表面没有与之毗连的半导体衬底。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||